水平双扩散电晶体之SOI结构模拟分析LDMOSofSOI-逢甲大学.PDF

報告題名： 水平雙擴散電晶體之 SOI結構模擬分析 LDMOS of SOI structure by Using SILVACO 作者： 劉衍昌、薛惟仁 系級： 電子四甲 學號： D9230259 、D9266759 開課老師：李景松 老師 課程名稱：化合物半導體 開課系所：電子工程學系 開課學年： 九十五學年度 第 一 學期 LDMOS 之 SOI結構模擬分析 摘 要 由於半導體產業技術不斷進步下，高壓工率驅動元件越顯的重要，耐高壓 的功率元件可應用於高功率、低阻抗之電子開關上。我們使用製程軟體 silvaco 模 擬雙擴散金氧半電晶體做整個元件的製程模擬和電性分析，以獲得較佳的製程參 數。 雙擴散金氧半電晶體部分則應用 Reduce Surface Field(簡稱 RESURF 原理 ) 來增進電晶體耐壓的能力， 並針對元件的終端結構利用場板（ field plate ）的 方法來改善元件終端的電場分佈， 此外使用絕緣層上矽晶結構的晶片(SOI) ，利 用埋藏氧化層具有比矽更高的耐壓能力，在 SOI 絕緣層當為 4um時， 我們發 現最佳場板長度為 11um 。另外也討論了p-body邊界長度越靠近氧化層的鳥嘴結 構，則電晶體的崩潰電壓也就越高。磊晶層厚度也是影響崩潰電壓因素之ㄧ，太 厚磊晶層反而會導致提早崩潰，使氧化層沒有完全發揮到耐壓特性。 本篇專題主要內容再討論 LDMOS 之 SOI結構特性，包括了元件驅動電壓、 電壓 電流特性、崩潰電壓，用- Silvaco軟體來討論結果。 關鍵字： LDMOS 、SOI 、RESURF 定理、場版定理。 - 1 - 逢甲大學學生報告 ePaper(2006 年) LDMOS 之 SOI結構模擬分析 目 錄 摘要 -1- 目錄 -2- 第一章 前言 p.1 第二章 元件的發展p.3 2.1 垂直式元件發展P.5 2.2橫向式元件的發展 P.6 第三章 功率元件工作原理p.8 3.1 崩潰機制p.8 3.2 RESURF的原理及運用 p.10 3.3 場板定理 p.15 第四章 SILVACO驗證 p.18 4.1原始元件 p.18 4.2改變氧化層厚度 p.22 4.3改變閘極多晶矽長度 p.25 4.4汲極金屬長度改變 p.28 4.5磊晶層濃度變化 p.31 4.6 P-body 寬度的改變 p.33 4.7磊晶層厚度改變 p.38 - 2 - 逢甲大學學生報告 ePaper(2006 年) LDMOS 之 SOI結構模擬分析 第五章 SILVACO 程式碼討論 p.43 5.1 原始碼 p.43 5.2程式相關