晶体管原理与设计（微电子器件）第3-9章.pptVIP

如果要得到共发射极等效电路，则可将 e 、b 的位置互换，再将 r? 与 C? 合为一个阻抗， 并对电流源 做如下转换： * * 上图同样只适用于 fT 500 MHz 的一般高频管。 即可得共发射极高频小信号 T 形等效电路 * 3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路 推导步骤： 首先利用电荷控制方程得到 “ i ~ q ” 关系，然后再推导出 “ q ~ v ” 关系，两者结合即可得到 “ i ~ v ” 方程。 本节以均匀基区 NPN 管为例。 （并推广到高频小信号） 先复习一些推导中要用到的公式 * 3.9.1 小信号的电荷控制模型 ( i ~ q 关系 ) 参考方向：电流均以流入为正，结电压为 vbe 和 vcb 。 基极电流的高频小信号分量 ib 由以下 6 部分组成： 晶体管中各种电荷的高频小信号分量为 * (2) 由基区注入发射区的少子形成的 ipe ，这些电荷在发射区中与多子相复合，故可表示为 (1) 补充与基区少子复合掉的多子的电流 (4) 当 vcb 变化时，对 CTC 的充放电电流 (5) 当基区电荷 qb 变化时引起的电流 (6) 当发射区电荷 qe 变化时引起的电流 (3) 当 vbe 变化时，对 CTE 的充放电电流 * 其中基区少子的小信号电荷 qb 又可分为由 vbe 引起的 qb ( E ) 和由 vcb 引起的 qb ( C ) 两部分。 因此基极电流的高频小信号分量 ib 可以表为 * 集电极电流的高频小信号分量 ic 由以下 3 部分组成 (1) 从发射区注入基区的少子，渡越过基区被集电结收集后所形成的 (2) 当 vcb 变化时，对 CTC 的充放电电流 (3) 当 vcb 变化时，引起 qb ( C ) 变化时所需的电流 因此 * 3.9.2 小信号的电荷电压关系 ( q ~ v 关系 ) 下面推导晶体管中的各种 “ q ~ v ” 关系 * 式中的 qb ( E ) 实际上就是 CDE 上的电荷，即 vbe 增加时，qb ( E ) 增加。 * 将 与 代入 中，得 因此 vcb 增加时，qb ( C ) 减少。 * 于是得到各 “ q ~ v ” 关系为 * 将以上的 qe 、qb 、qte 、qtc 代入基极电流 ib 中， 式中， 3.9.3 高频小信号电流电压方程 经整理和简化后得 * 也分为与 vbe 有关的 和与 vcb 有关的 ，即 下面推导集电极电流 ic 必须将上式中的 看作一个整体，即 ，它 * 上式中， 代表集电极电流受发射结电压变化的影响，称为晶体管的 转移电导，或 跨导。 根据发射极增量电阻 re 的表达式，gm 与 re 之间的关系为 由晶体管的直流电流电压方程 ( 3-59b )， 当发射结正偏集电结反偏时，跨导可表为 * 代入 ic 中，经整理后得 中的其余两项为 * 于是得到共发射极高频小信号电流电压方程为 当用高频小信号的振幅来表示时，晶体管的共发射极高频小信号电流电压方程为 * 再由 Ie = -Ib - Ic 的关系，可求出 Ie ，并考虑到 可得共基极高频小信号电流电压方程 （3-358a） （3-358b） * 3.9.5 小信号等效电路 如果用另外一些元件构成一个电路，使其输入输出端上信号量之间的关系和晶体管的完全一样，则这个电路就是晶体管的 等效电路。在分析含有晶体管的电路时，可以用等效电路来代替晶体管 。要注意的是 ，等效电路是对外等效对内不等效 ，所以等效电路不能用来研究晶体管的内部物理过程。 * 根据共发射极高频小信号电流电压方程 可得原始的共发射极高频小信号等效电路 1、混合π等效电路 * 电路的转换 利用电