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第四章半导体载流子的输运 4.1 载流子的漂移运动 4.2 载流子的散射 43迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系4.3 4.4 增强迁移率的常用技术 4.5 电导率的统计理论 46强电场下的输运4.6 4.7 载流子输运性质的测量Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) 4.1 载流子的漂移运动 欧姆定律漂移速度和迁移率半导体的电导率和迁移率Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) 半导体的电导率和迁移率 半导体中两种载流子：空穴和电子 E电 vee hjevhjh电子：导带中，脱离了共价键在半导体中自由运动的电子；空穴：价带中，代表了共价键上的电子在价键间运动时所产生 的电流。 强n型: σ＝nqμn 强p型: σ＝pq μp总电流密度：J = Jn + Jp = (nqμn+pq μp)E电导率：σ＝nqμn+pq μp 电子和空穴在同一电场下的电流方向一致，电导率相加！Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) 4.2 载流子的散射 载流子散射的概念半导体的主要散射机构Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) Does the Free Electron Model Give us Ohm’s Law? F=-eE F=ma m(dv/dt)=-eE v=-(eE/m)t Constant Egives ever-increasing v! No, Ohm’s law can not be only from electric force on electron! Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) 热平衡载流子的主要运动形式 EE 热运动(Brownian motion): 固体中载流子在各种散射碰 撞下做无规则运动，无载流 子的“净”输运，其平均动 能随温度增加。 Semiconductor Physics –Ran Liu (2009)漂移运动：载流子在电场力的作用下，叠加在无规热运动上的定向运动，产生载流子的“净”输运，其漂移速度随电场强度增加 载流子散射(scattering) 理想半导体的电子在电场力F作用下，如何运动？ 1）匀加速运动→Vd不断加大→电 流密度将无限增大？？？ 2）Bloch振荡? 载流子在运动中，由于晶格热振动和电离杂质以及其他因素的影响，不断遭到散射，电场不可能使之无限加速。 散射的根本原因：周期性势场被破坏。由于附加势场的作用，使能带中的电子发生在不同k状态间的跃迁。Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) Bloch振荡外电场EEv ~E’me* ~E”?π/akk’π/aSemiconductor Physics –Ran Liu (2009)电子在k空间的循环运动t= 0, k= 0, m* 0, 外力作用使电子加速，v 增大；k→k’,, m*→∞,, v 最大值；k k’,m* 0, 开始减速k= π/a，v= 0, m* 0 , 外场使v0, 沿外力相反方向移动, 电子又从－π/a a处移动进来在恒定外场下速度发生振荡，意味者电子在实空间的振荡，直流的外加电场有可能产生交变的电流－Bloch Bloch振荡实际上由于散射不易发生。 载流子在外电场下的运动引起载流子k状态变化的因素分为两大类：1）外电场引起的变化。有方向性。变化的结果使电子的分布偏离原热平衡分布；??准动量定理 2）由杂质、缺陷及晶格振动引起的散射。散射引起的k状态的变化无方向性，变化的结果使电子状态回复到热平衡分布。 热运动＋漂移运动 稳态分布，恒定的电流密度 Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) 载流子运动方程－散射的作用自由载流子：实际上在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由程，而平均时间τ称为平均自由时间。载流子在时间dt中的散射几率则为dt/τ 对于随时间变化的外场F(t)有 dv(t)/dt+v(t)/τ=F(t)/m 注意：与速度成正比的项对应于力学中的阻尼项Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) 半导体的主要散射机制 电离杂质散射 晶格振动散射 中性杂质散射 表面和界面散射 其他原因 Semiconductor Physics –Ran Liu (2009) 晶格振动散射(声子散射)晶格振动类似于谐振子（弹性链） 晶体内的原子围绕其平衡位置作振动。由于晶体内原子间存在着相互作用力，各个原子的振动也并非是孤立的，而是相互联系的，因此在晶体中形成各种模式的波。只当振动甚为微弱时