ASIC成本介绍说明.ppt

第一讲 专用集成电路概念及设计流程 专用集成电路概念 通用集成电路: CPU, DSP, DRAM, TTL系列(数字电路) 运放OA, 基准源, ADC/DAC, DC/DC(模拟电路) 市场上能买到的电路 专用集成电路 玩具电路, 灯具电路, 工业控制电路, 等等, 市场上买不到的电路 (数字的、模拟的、混合的) ASIC的优点与发展趋势 专用集成电路技术的应用, 使得电子产品的体积缩小、重量减轻、性能提高、成本降低、保密性增强等等。推动了ASIC技术向更广泛领域的发展, 形成了良性循环。 ASIC的进一步发展，以及IP的复用技术，形成了后来SoC的问世以及SiP概念的提出。 半导体制造工艺 IC制造工艺 模拟IC电路（Bipolar工艺、CMOS工艺） 数字IC电路（ CMOS工艺） 数模混合信号IC电路（ CMOS、Bi-CMOS工艺） 电源相关功率IC电路（ BCD工艺） ASIC制造常用工艺 标准CMOS工艺 设计流程 IC的设计流程 特殊工艺器件的设计流程 模拟电路设计流程 数字电路设计流程 数/模混合电路设计流程 ASIC设计流程 (标准CMOS工艺) 模拟电路设计流程 数字电路设计流程（Logic 工艺） 数/模混合电路设计流程 (Mixed-signal 工艺) 特殊工艺器件的设计流程 常用的TCAD软件 所属公司 工艺仿真 器件仿真 特点 Avanti 被Synopsys 公司收购 Tsuprem4 Medici 国内业界广泛使用 ISE(瑞士) 被ynopsys 公司收购 DIOS MDRAW 器件生成 DESSIS 器件仿真 国外业界广泛使用 SILVACO Athena Atlas 图形界面 操作简单易学 前端设计 数字IC设计流程 后端设计 数字集成电路设计常用工具 公司 Cadence Synopsys Mentor Graphics 逻辑仿真 NC-Sim Modelsim 逻辑综合 Design- compiler 布局布线 SE Encounter 时序验证 Pearl 可测性设计 DFT-Compiler TetraMAX 与目前IC技术相应的主要数据 元件数/芯片– 1000万晶体管/die 芯片面积(mm2) – 1-100mm2 硅片直径(mm) –20mm ( 8英寸)/wafer 特征线宽(μm) – 0.18μm, 90nm /CD 结深(μm) – 0.2 μm / xj 栅氧化层厚度(nm) – 5nm (50A) / d 工作电压(V) – 3.3V,1.8V 速度功耗乘积(μJ) -- 关于速度功耗积 是衡量超大规模IC产品设计水平的重要标志 在ASIC设计的每一步, 都有对产品速度、功耗进行决择、控制的能力(速度、功耗是一对矛盾) 在系统设计一级，算法的确定非常重要, 并行算法速度快但功耗大；串行算法则反之。 在逻辑设计一级,是否采用诸如超前进位链之类的附加电路，对芯片速度的影响也非常明显 器件结构/电路形式对速度、功耗的影响 器件结构对速度、功耗的影响 双极型器件速度快, 但功耗大; MOS型器件功耗低, 但速度相对也低。 电路形式对速度、功耗的影响 同是双极型器件，ECL电路快于TTL电路（后者器件进入深饱和区而前者只达临界饱和点） 同是MOS型器件，CMOS电路功耗低于单纯NMOS或PMOS电路（后者有静态功耗而前者无静态功耗） ASIC成本 每个芯片(chip)的成本可用下式估算: 总成本 = 设计成本 + 光罩成本 + 制造成本 (暂不考虑封装测试成本) 其中Ct为芯片开发总成本 Cd 为设计成本， Cm 为光罩成本 Cp 为每片wafer上电路的加工成本 V 为总产量 y 为成品率 n 为每一大园片上的芯片数(chip数/wafer)