固体物理第四章 晶体的缺陷与缺陷运动.pptVIP

* 第四章 晶体的缺陷与缺陷运动 晶体的主要特征是其中原子（或分子）的规则排列， 但实际晶体中的原子排列会由于各种原因或多或少地偏离严格的周期性， 于是就形成了晶体的缺陷。 晶体中缺陷的种类很多，它影响着晶体的力学、 热学、电学、光学等各方面的性质。本章主要介绍晶体中的三类缺陷（点缺陷、线缺陷及面缺陷）的物理特征及其运动形式。 缺陷——偏离了晶体周期性排列的局部区域。 §4.1 缺陷的类型 一、点缺陷 点缺陷——发生在一个或几个晶格常数范围内的缺陷。 如：空位、填隙原子、杂质原子等。 这些空位、填隙原子是由热起伏原因而产生的，所以又称为热缺陷。 几种点缺陷： 1）弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷 原子（或离子）在格点平衡位置附近振动，由于非线性的影响，使得当粒子能量大到某一程度时，原子就会脱离格点，而到达邻近的原子空隙中，当它失去多余动能后，就会被束缚在那里，这样产生一个暂时的空位和一个暂时的填隙原子，当又经过一段时间后，填隙原子会与空位相遇，并同空位复合；也有可能跳到较远的间隙中去。 若晶体中的空位与填隙原子的数目相等，这样的热缺陷称为弗仑克尔（Frenkel）缺陷。（P148图4-7） 弗仑克尔缺陷——空位和填隙原子可以成对地产生的点缺陷。 特点：1）空位和填隙原子数目相等。 2）一定温度下，缺陷的产生和复合 过程达到平衡。 若脱离格点的原子变成填隙原子，经过扩散跑到晶体表面占据正常格点位置，则在晶体内只留下空位，而没有填隙原子，仅由这种空位构成的缺陷称之为 肖特基（Schottky）缺陷。（P149图4-2） 肖特基缺陷——晶体内只有空位。 2）替位式杂质原子（离子）和填隙式杂质原子（离子） 在低温下离子晶体的导电性可以用掺杂的办法来提高。 NaCl是单价离子晶体，如果用双价杂质（例如：钙离子）进行掺杂，实验证明掺杂后的离子晶体的导电性与钙离子的浓度成正比。 如： 原因是为保持电中性，对应于每一个钙离子，离子晶体中会另外产生一个空位。空位在电场下移动而产生电流。这是点缺陷的一种运用。 点缺陷还可以改变离子晶体的颜色 。 离子晶体在碱金属蒸气中加热产生间隙原子。比较大数量的点缺陷会改变能级，使第一激发态与基态的能级差减小，从而使某种频率的可见光可以被吸收，即改变了离子晶体的颜色。这种缺陷称为色心。（P150） 3）极化子 当一个电子被引入到离子晶体时，它会使原来的周期性势场发生畸变，这个畸变区域构成点缺陷。 由于这种局部畸变会随电子从晶体的一处移到另一处，所以把携带着周围晶格畸变的电子看成是一个准粒子，称为极化子。 极化子——外来电子+周围晶格的极化畸变。 二、线缺陷 线缺陷——当晶格周期性的破坏发生在晶体内部一条线 的周围则称为线缺陷，通常又称之为位错。 它是由于应力超过弹性限度而使晶体发生范性形变所产生的，从晶体内部看，它就是晶体的一部分相对于另一部分发生滑移，以致在滑移区的分界线上出现线状缺陷。位错的基本类型有刃型位错和螺旋位错两种。 1）刃型位错 在晶体的上半部分有半个多余的晶面，它像用刀劈柴那样，挤入一组平行晶面之间，而位错线正好处于所插入晶面的刀刃上。（断处的边沿就是刃型位错 ） 过b点垂直于纸面的这条线向右滑移了一个原子间距，位错线过D点垂直纸面向里。 位错线垂直于滑移的方向的位错，称为刃位错。 2）螺旋位错 位错线平行于滑移的方向的位错，称为螺旋位错。 在晶体中沿AB切开，AB的左边下移，右边上移，使得左右两边沿垂直于AB方向滑移一个原子间距。 DC为位错线。 晶体的滑移矢量垂直于AB方向，与位错线平行。 当晶体中存在螺旋位错时，原来的一族平行晶面就变成为以位错线为轴的螺旋面。 三、其他类型缺陷 1）小角晶界 晶界——晶粒与晶粒之间的边界成为晶界。 具有完整结构的晶体两部分彼此之间的取向有着小角度θ的倾斜，在角θ里的部分是由少数几个多余的半晶面所组成的过渡区，这个区域称 小角晶界 如右图所示小角晶界是一种镶嵌结构。显然小角晶界可以看成一些 刃位错的排列。 2）堆积缺陷——层错 层错是由于晶面堆积顺序发生错乱而引入的面缺陷，又称堆垛层错。 以立方密积结构(面心立方）为例 在[111]方向上各晶面按照ABCABC...的顺序排列： 如果排列顺序发生错乱，便产生层错。例如在外延生长过程中，晶体沿着[111]方向生长时，原子层排列