化学气相沉积法制备薄膜.ppt

* 履带式常压CVD装置 衬底硅片放在保持400℃的履带上，经过气流下方时就被一层CVD薄膜所覆盖。 * 模块式多室CVD装置 桶罐式CVD反应装置 对于硬质合金刀具的表面涂层常采用这一类装置，它的优点是与合金刀具衬底的形状关系不大，各类刀具都可以同时沉积，而且容器很大，一次就可以装上千的数量。 各个反应器之间相互隔离利用机器手在低压或真空中传递衬底硅片。因此可以一次连续完成数种不同的薄膜沉积工作。 * 影响CVD制备材料质量的因素： 反应混合物的供应：通过实验选择最佳反应物分压及其相对比例。 沉积温度：直接影响反应系统的自由能，决定反应进行的程度和方向，不同沉积温度对涂层的显微结构及化学组成有直接的影响。 衬底材料：涂层能与基体之间有过渡层或基体与涂层线性膨胀系数差异相对较小时，涂层与基体结合牢固。 系统内总压和气体总流速：直接影响输运速率，由此波及生长层的质量。 反应系统装置的因素：反应系统的密封性、反应管和气体管道的材料以及反应管的结构形式对产品质量也有不可忽视的影响。 源材料的纯度：材料质量又往往与源材料（包括载气）的纯度有关。 * 4 CVD制造薄膜技术的介绍 4.1 CVD法制备薄膜过程描述（四个阶段） （1）反应气体向基片表面扩散； （2）反应气体吸附于基片表面； （3）在基片表面发生化学反应； （4）在基片表面产生的气相副产物脱离表面，向空间扩散或被抽气系统抽走； （5）基片表面留下不挥发的固相反应产物——薄膜。 * 4.2 CVD成膜技术的优缺点 ★ 优 点 即可制作金属薄膜，又可制作多组分合金薄膜； CVD反应可在常压或低真空进行，绕射性能好； 薄膜纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好； 薄膜生长温度低于材料的熔点； 薄膜表面平滑； 金刚石在所有物质中具有最高的硬度, 室温下有最高的热导率、极低的热膨胀系数、高化学惰性、大的禁带宽度、最高的声传播速率, 以及从远红外光区到深紫外光区的高透明性等十分优异的性能, 使得其具有广阔的应用前景。然而天然金刚石数量稀少, 所以人们难以大规模地应用金刚石。高温高压制备的聚晶金刚石(PCD) 由于含有金属催化剂, 同时其尺寸有限, 价格昂贵, 因而人们也不能充分利用金刚石的上述优异性能。自从M at sum to [ 1 ]等于1982 年发明了化学气相沉积(CVD) 法制备金刚石膜后, 才使金刚石得以以工业化的规模在多个领域得到广泛应用。 进行常规金刚石薄膜沉积时采用CH4/H2 用化学气相沉积（CVD）法制备薄膜材料 演讲人：肖骐 学号：2140120419 * 目 录 1 化学气相沉积方法发展简史 2 CVD的基本概念及原理 3 CVD合成工艺 4 CVD制造薄膜技术的介绍 * 1 化学气相沉积方法发展简史 古人类在取暖或烧烤时利用岩洞壁或岩石上的黑色碳层 20世纪50年代主要用于道具涂层 80年代低压CVD成膜技术成为研究热潮 近年来PECVD、LCVD等高速发展 20世纪60-70年代用于集成电路 * 化学气相沉积（CVD）： 通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 简单来说就是两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。 从气相中析出的固体的形态主要有：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。 2 CVD的基本概念及原理 * CVD技术要求： 反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸气压而易于挥发成蒸汽的液态或固态物质，且有很高的纯度； 通过沉积反应易于生成所需要的材料沉积物，而其他副产物均易挥发而留在气相排出或易于分离； 反应易于控制。 * CVD技术分类： CVD技术 低压CVD（LPCVD） 常压CVD（APCVD）） 亚常压 CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD 快热 CVD(RTCVD) 金属有机物 CVD(MOCVD) 按反应类型或压力分类 按沉积中是否含有化学反应分类 物理气相沉积 化学气相沉积 * 常用CVD技术： 沉积方式 优点 缺点 常压化学气相沉积 反应器结构简单 沉积速率快 低温沉积 阶梯覆盖能差 粒子污染 低压化学气相沉积 高纯度 阶梯覆盖能力极佳 产量高 适合于大规模生产 高温沉积 低沉积速率 等离子化学气相沉积 低温制程 高沉积速率 阶梯覆盖性好 化学污染 粒