变频技术及应用电子教案教学课件作者宋爽变频第2章(656KB).pptVIP

河北工业职业技术学院 （1）IGBT的结构 IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。图2-21（a）给出了一种由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT的基本结构。 （a） （b） （c） 图2-21 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 （a）内部结构断面示意图 （b）简化等效电路 （c）电气图形符号 河北工业职业技术学院 其简化等效电路如图2-21（b）所示，可以看出这是用双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种场控器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压 决定的，当 为正且大于开启电压 时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。 河北工业职业技术学院 （２）IGBT的特性 如图2-22所示。 （a） （b） 图2-22 IGBT的特性曲线 （a） 静态特性 （b）输出特性 河北工业职业技术学院 1）静态特性 图2-22（a）所示为IGBT的转移特性，它描述的是集电极电流 与栅射电压 之间的关系，与电力MOSFET的转移特性类似。开启电压 是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。 随温度升高而略有下降，温度每升高１℃，其值下降5mV左右。在+25℃时， 的值一般为2～6V。 2）输出特性 也称伏安特性，如图2-22（b）所示。IGBT的输出特性曲线反映了输出电压 和输出电流 的关系。 IGBT工作在开关状态时和GTR一样，在阻断状态和饱和导通状态之间转换，不允许在放大状态停留。IGBT的工作特点是用栅极电压 控制集电极电流 ：当 （开启电压）时，IGBT截止，无 ，当 时，加正压，IGBT导通，其输出电流 与驱动电压 基本呈线形关系。 3）优缺点 IGBT的输出特性好，开关速度快，工作频率高，一般可达到20KHz以上，通态压降比MOSFET低，输入阻抗高，耐压、耐流能力比MOSFET和GTR提高，最大电流可达1800A，最高电压可达4500V。目前，在中小容量变频器电路中，IGBT的应用处于绝对的优势。 河北工业职业技术学院 2.2.4 其他新型电力电子器件 １.集成门极换流晶闸管（IGCT） IGCT是GTO的派生器件，其基本结构在GTO的基础上采取了一系列的改进措施，比如特殊的环状门极、与管芯集成在一起的门极驱动电路等等。这使得IGCT不仅具有与GTO相当的容量，而且具有优良的开通和关断能力。 目前，4000A、4500V及5500V的IGCT已研制成功。在大容量变频电路中，IGCT被广泛应用。 ２.智能功率模块（IPM） IPM是将大功率开关器件和驱动电路、保护电路、检测电路等集成在同一个模块内，是电力集成电路的一种。这种功率集成电路特别适应逆变器高频化发展方向的需要，而且由于高度集成化，结构紧凑，避免了由于分布参数、保护延迟所带来的一系列技术难题。目前，IPM一般以IGBT为基本功率开关元件，构成一相或三相逆变器的专用功能模块，在中小容量变频器中广泛应用。 河北工业职业技术学院 第2章 变频器的类型及电力电子器件 河北工业职业技术学院 2．1 变频器的类型 变频器的分类有六种方式:按变流环节分类，按直流电路的滤波方式分类，按电压的调制方式分类，按控制方式分类，按输入电流的相数分类、按用途分类。 河北工业职业技术学院 图2-1 交-直-交变频装置 2.1.1 按变流环节分类 从结构上看，变频器可分为间接变频器和直接变频器两类。目前应用较多的是间