光刻工艺步骤介绍技术知识.ppt

光刻工艺步骤介绍 ;综述;光刻工艺流程;;;;;涂胶工艺介绍;涂胶;涂胶前旋转 ;涂胶后烘;影响胶膜因素：;曝光工艺介绍;曝光工艺介绍;曝光方式： 目前西岳光刻间光刻机只有一种曝光方式，步进重复式投影曝光光刻机，即BLOCK通过快门的开关逐步进行曝光，显影后圆片图形是光刻版图形的1/5。 曝光光源： 光刻胶主要对紫外光光源感光，常用的紫外光光源是高压汞灯。其中对光刻胶感光起主要作用是波长为435.8nm（g线）、 365nm（i线）、248nm（DUV远紫外线）等光谱线。我们所用的NIKON光刻机分为G线和I线，就是由此而来，它们都是一种波长的单色光；高精度光刻图形与曝光光源有着直接的关系。 曝光量 曝光的目的是用尽可能短的时间使光刻胶充分感光，并在显影后获得尽可能高的留膜率、近似于垂直的光刻胶侧壁和可控的条宽。曝光量是指使光刻胶充分感光的能量，通常用E来表示。实际中，显影后是无法获得完全垂直的光刻胶侧壁的 。一般来说，侧壁形状呈一个梯形。;预对位对位：;显影工艺介绍;显影方式;显影后烘（坚膜）;注意事项;显检 ; Box-In-Box;常见异常显检图例; Block内，一般检查三个点，在Block内的分布如左图 ：;条宽测量;在线流片相关知识介绍