硅集成电路工艺——光刻与刻蚀经典案例.pptVIP

天津工业大学 前烘 目的： 使胶膜内溶剂充分挥发，干燥，降低灰尘污染 增加胶膜与下层膜的黏附性及耐磨性 区分曝光区和未曝光区的溶解速度 方法： 干燥循环热风 红外线辐射 热平板传导（100℃左右） 天津工业大学 前烘方法 天津工业大学 显影 目的：显现出曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形 正胶：感光区域显影溶解，所形成的是掩膜板图形的正映像 负胶：反之 方法：喷洒显影液 静止显影 漂洗、旋干 天津工业大学 天津工业大学 正胶和负胶 天津工业大学 显影中可能存在的问题 天津工业大学 显影设备 天津工业大学 喷洒显影液 天津工业大学 静止显影 天津工业大学 去除显影液 天津工业大学 去离子水清洗 天津工业大学 显影全过程 天津工业大学 曝光后烘培 目的：降低驻波效应，形成均匀曝光 天津工业大学 曝光后烘培 天津工业大学 后烘（坚膜） 目的： 除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片的附着力 提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力 减少光刻胶层中的缺陷（如针孔），修正图形边缘轮廓 方法：高温处理（150℃左右） 光学稳定（UV照射) 天津工业大学 刻蚀 目的：选择性地将未被光刻胶掩蔽的区域去除 方法：干法刻蚀 湿法刻蚀 质量指标：分辨率 ； 选择性 天津工业大学 去胶 目的：将经过刻蚀的硅片表面留下的光刻胶去除 方法：干法去胶 （等离子体去胶、紫外光分解去胶） 湿法去胶 （无机溶液去胶、有机溶液去胶） 天津工业大学 §8.2 分辨率(Resolution) 定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数，即每mm内包含有多少可分辨的线对数 天津工业大学 物理学意义：限制因素是衍射 光子： 粒子： 所以：能量一定，则粒子质量越大，分辨率越高 质量一定，则动能越高，分辨率越高 天津工业大学 光刻参数对工艺效果的影响 分辨率 对准 片间控制 批间控制 产量 曝光系统 XX XX X XX XX 衬底 X X XX X X 掩膜 X X － X X 光刻胶 XX X XX XX XX 显影剂 X － XX XX X 润湿剂 － － XX X － 工艺 X X XX XX XX 操作员 X XX XX X XX 天津工业大学 §8.3 光刻胶的基本属性 正胶与负胶： 天津工业大学 光刻胶的组成 聚合物材料（树脂）：保证光刻胶的附着性和抗腐蚀性及其他特性，光化学反应改变溶解性 感光材料（PAC）：控制或调整光化学反应，决定着曝光时间和剂量 溶剂：将树脂溶解为液体，使之易于涂覆 添加剂：染色剂等 天津工业大学 正胶与负胶 天津工业大学 正胶与负胶 负胶的缺点： 树脂的溶涨降低分辨率 溶剂（二甲苯）造成环境污染 天津工业大学 对比度 光刻胶膜厚——曝光剂量响应曲线 对比度： 正胶： 负胶： 对比度越高，侧面越陡，线宽更准确 对比度高，减少刻蚀过程中的钻蚀效应，提高分辨率 天津工业大学 其他特性 光敏度 膨胀性 抗刻蚀能力和热稳定性 黏着力 溶解度和黏滞度 微粒含量和金属含量 储存寿命 理想曝光图形与实际图形的差别 天津工业大学 §8.4 曝光系统 曝光系统 光学曝光系统 非光学曝光系统 紫外（UV） 深紫外（DUV） 电子束曝光系统 X射线曝光系统 离子束曝光系统 天津工业大学 紫外（UV）光源 水银弧光灯光源 i线（365nm） h线（405nm） g线（436nm） 缺点：能量利用率低（2％） 准直性差 天津工业大学 深紫外（ DUV ）光源 KrF、ArF、F2准分子激光器 优点：更高有效能量，各向异性，准直，波长更小，空间相干低，分辨率高 缺点：带宽宽，脉冲式发射，能量峰值大，损伤 天津工业大学 曝光方式（Exposure） 曝光方式 遮蔽式Shade system 投影式projection system 接触式 Contact printer 接近式 proximity printer 天津工业大学 接触式曝光(contact printer) 接触式曝光 S=0，分辨率得到提高（1－3um) 尘埃粒子的产生，导致掩膜版的损坏，降低成品率 天津工业大学 CompanyLOGO 天津工业大学 Chap.8 光刻与刻蚀工艺 光刻的重要性及要求 1 光刻工艺流程 2 3 湿法刻蚀与干法刻蚀技术 4 5 曝光光源、曝光方式以及掩膜版 光刻工艺的分辨率及光刻