第7章 外延教材课程.pptVIP

7.2.4 外延层中的杂质分布 掺杂采用原位气相掺杂。 杂质掺入效率依赖于：生长温度、生长速率、气流中掺杂剂相对于硅源的摩尔数、反应室几何形状，掺杂剂自身特性。 有杂质再分布现象 自掺杂效应 扩散效应 影响： 改变外延层和衬底杂质浓度及分布 对p/n或n/p硅外延，改变pn结位置 自掺杂效应(Autodoping) 自掺杂效应是指高温外延时，高掺杂衬底的杂质反扩散进入气相边界层，又从边界层扩散掺入外延层的现象 。 自掺杂效应是气相外延的本征效应，不可能完全避免。 假设1：外延层生长时外延剂中无杂质， 杂质来源于自掺杂效应 假设2：衬底杂质无逸出（或认为衬底未掺杂） 界面杂质叠加的数学表达式为 外延层杂质浓度分布计算 生长指（常）数Φ Φ(cm-1)由实验确定。 与掺杂剂、化学反应、反应系统，及生长过程等因素有关: As比B和P更易蒸发; SiCl4反应过程中的Φ要比SiH4的小; 边界层越厚，Φ就越大。 互扩散效应(Outdiffusion) 互（外）扩散效应，指在衬底中的杂质与外延层中的杂质在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化的现象。 不是本征效应，是杂质的固相扩散带来。 若杂质扩散速率远小于外延生长速率，衬底中的杂质向外延层中扩散，或外延层中杂质向衬底中的扩散，都如同在半无限大的固体中的扩散。 当衬底和外延层都掺杂时，外延层中最终杂质分布 +对应n/n+（p/p+） -对应p/n+（n/p+） 综合效果 杂质再分布综合效果示意图 减小杂质再分布效应措施 降低外延温度，p-Si采用SiH2Cl2, SiHCl3；或SiH4，但这对As的自掺杂是无效。 重掺杂的衬底，用轻掺杂的硅来密封其底面和侧面，减少杂质外逸。 低压外延可减小自掺杂，这对砷，磷的效果显著，对硼的作用不明显。 用离子注入的埋层来降低衬底表面的杂质浓度。可在埋层或衬底上先生长未掺杂的薄膜来避免衬底中的杂质外逸，再原位掺杂。 7.2.5 设备 立式和桶式外延装置示意图 气相外延设备 7.2.6 外延方法 低压外延 选择外延 SOI技术 低压外延low-pressure epitaxy 目的：减小自掺杂效应 压力：1*103—2*104Pa 原因： 低压气体扩散速率快，衬底逸出杂质可快速穿过边界层（滞留层），被排除反应室,重新进入外延层机会减小； 停止外延时，气体易清除，多层外延时缩小了过渡区， 温度影响 压力降低，生长外延层温度下限也降低； 问题：易泄漏；基座与衬底间温差大；基座、反应室在减压时放出吸附气体；外延生长温度低等-----外延层晶体完整性受到一定影响 选择外延（Selective epitaxial growth，SEG） 如何实现？ 根据硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面的特定区域生长外延层而其它区域不生长的技术。 外延生长晶粒成核速度 SiO2〈Si3N4〈Si Cl或HCl作用： 利用氧化物表面的高清洁性和源中存在足够的Cl或HCl提高原子的活动性，以抑制气相中和掩蔽层表面处成核；Cl↑，选择性↑，因为HCl可将在氧化物表面形成的小团的硅刻蚀掉； 三种类型： 1.以Si为衬底，以SiO2或Si3N4为掩膜，在暴露的硅窗口内生长外延；或在暴露的硅窗口内生长外延，在掩膜生长Poly-Si； 2.同样以Si为衬底，以SiO2或Si3N4为掩膜，在暴露的硅衬底上刻图形，再生长外延； 3.沟槽处外延生长 注意：窗口侧壁的生长速率不规则性导致边缘和中心生长速率差别的问题； 晶面取向不同导致的生长特性差别； 横向超速外延（ELO, Extended Lateral Overgrowth, ） 注意：缺陷问题 SOI (Silicon on Insulator)技术 SOI的结构特点是在有源层和衬底层之间插入埋氧层来隔断二者的电连接。 SOI和体硅在电路结构上的主要差别在于：硅基器件或电路制作在外延层上，器件和衬底直接产生电连接，高低压单元之间、有源层和衬底层之间的隔离通过反偏PN结完成，而SOI电路的有源层、衬底、高低压单元之间都通过绝缘层完全隔开，各部分的电气连接被完全消除。 SDB (Silicon Direct Bonding)直接键合与背面腐蚀BE（Back Etching）技术 SIMOX (Separating by Implanting Oxide )氧注入隔离 Smart Cut智能切割 ELTRAN (Epitaxy Layer Transfer)外延层转移 目前最常用ＳＯＩ技术 SOS (Silicon on Sapphire 或 Spinel)技术 SOS 是SOI中的一种，衬底是蓝宝石(α-Al2O3) ，或尖晶