集成电路工艺原理7演示教学.pptVIP

Cu是一种稳定的惰性金属，不像铝那样易与刻蚀离子发生反应而被刻蚀。一直难以找到可以刻蚀Cu金属薄膜材料的化学试剂和刻蚀手段，在传统的干法腐蚀中，由于不能产生易挥发性卤化物，因而不能用常规等离子体腐蚀工艺制备互连线图形； Cu在空气中和低温下（200℃）易氧化，而且不能像铝一样形成钝化保护层来阻止自身进一步被氧化和腐蚀； 对铜的挑战 7.3 金属铜 对铜的挑战 7.3 金属铜 铜对二氧化硅、硅等材料的粘附性很差；铜不像铝那样易于在硅或二氧化硅衬底上生长，结构的不完美将导致电阻率的增大； 铜的扩散会引起所谓中毒效应，与硅在较低温度下（200℃）反应生成Cu3Si，Cu和Si形成化合物后电阻率将增大好几倍，导致对有源区的沾污而引起漏电和Vt漂移。特别是当其渗入到掺硼硅中时，会与硼发生反应，形成B－Cu化合物而使硼的有效掺杂浓度降低。Si扩散入铜中将增加铜的电阻率； 同时，芯片工作时，临近金属线之间施加的电场也大大提高了铜的扩散速率。 基于以上原因，必须采取有效措施来防止铜向硅中扩散，解决以上问题一般是在沉积铜层之前再加一步，即在刻好的槽的衬底上溅射淀积约50nm厚的阻挡层，金属扩散阻挡层（Ta，TaN等）或者介质扩散阻挡层（Si3N4等），即在介质层和金属铜之间引入引入一层扩散阻挡层，以提高铜与衬底的粘结性和阻止铜向Si或二氧化硅衬底的扩散。 对铜的挑战 7.3 金属铜 布线技术 目前的布线技术有两种，即传统的RIE技术与新兴的大马士革工艺技术。大马士革工艺技术较RIE技术有很多优点：首先，RIE技术金属的去除是用活性离子刻蚀的方法来形成图案。但是，铜为惰性金属，本身不能像铝一样容易与刻蚀离子发生反应而被刻蚀，铝被刻蚀能产生气态的附产物，而铜刻蚀产生的气态附产物不易挥发，也就是说铜的图案成型使用RIE技术有很大的技术难度，RIE刻蚀难以制备铜互连线的图形。而大马士革技术是用CMP来实现图案成型，这就解决了这一技术难题。 7.3 金属铜 布线技术 7.3 金属铜 其次，RIE技术中刻蚀温度需要200~250℃，但是大马士革工艺技术的CMP过程是在常温下进行，这就使工艺大大简化。再有，如果使用大马士革工艺技术，则可以大批量生产，提高效率；最后，大马士革工艺技术所用的设备简单，成本低。一般来说，通常情况下，形成Al的布线一般采用RIE技术，形成铜的布线使用大马士革工艺技术。所以只能采用先刻蚀介质再填充金属互连材料的模式，大马士革工艺成为目前唯一一种得到广泛研究与应用的铜图形化技术。 布线技术 7.3 金属铜 RIE技术中金属的去除工序 大马士革技术中金属的去除工序 布线技术 7.3 金属铜 大马士革结构有两种形式： 1)单大马士革结构（single damascene）； 2)双大马士革结构（dual damascene）。 前者是一次只淀积一层金属，后者是一次把一层通孔或接触孔和它上面的那层互连线这两层金属的淀积在同一步骤中完成。这节省了工艺步骤并且消除了通孔（或接触孔）和金属线之间的界面，大大提高铜的抗电迁移性。 布线技术 7.3 金属铜 布线技术 7.3 金属铜 双大马士革方法 SiO2淀积 淀积内层氧化硅到希望的厚度。 Si3N4刻蚀阻挡层淀积厚250?的Si3N4刻蚀阻挡层被淀积在内层氧化硅上。 Si3N4需要致密，没有针孔。 Si3N4 布线技术 7.3 金属铜 确定通孔图形和刻蚀光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入Si3N4中，刻蚀完成后去掉光刻胶。 淀积保留介质的SiO2 为保留层间介质，PECVD 氧化硅淀积。 布线技术 7.3 金属铜 Si3N4 布线技术 7.3 金属铜 确定互连图形光刻确定氧化硅槽图形，带胶。在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。 刻蚀互连槽和通孔在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道，停止在Si3N4层。穿过Si3N4层中的开口继续刻蚀形成通孔窗口。 布线技术 7.3 金属铜 布线技术 7.3 金属铜 淀积阻挡层金属在槽和通孔的底部及侧壁淀积钽和氮化钽扩散层 淀积铜种子层淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔 布线技术 7.3 金属铜 布线技术 7.3 金属铜 淀积铜填充用电化学淀积 (BCD) 淀积铜填充 ，既填充通孔窗也填充槽。 用 CMP 清除额外的铜用化学机械平坦清除额外的铜，这一过程平坦化了表面并为下 道工序做了准备。 最后的表面是一个金属镶嵌在介质内、形成电路的平面结构。 布线技术 7.3 金属铜 布线技术 7.3 金属铜 目前采用的淀积方法是，首先利用PVD技术中的溅射方法，淀积一薄的势垒金属层（阻挡层）和Cu的种子（籽晶层），然后利用电化学（电镀或化学镀）或CVD的方法进行Cu金属的通孔和沟槽