集成电路工艺复习汇编中国科大.pptVIP

VLSI Technology: Modern CMOS Technology * 总 复 习 大规模集成电路工艺学VLSI Technology 第一章 绪论 集成电路的发展 晶体管、集成电路、平面工艺... 摩尔定律 特征尺寸 著名代工企业 半导体原理 本征半导体 掺杂半导体 第二章 现代CMOS工艺 集成电路工艺的发展 现代CMOS工艺基本流程 Silicide、Salicide 第三章 晶圆制备 晶体结构 晶格、晶胞 晶面、晶向 多晶、单晶 金刚石结构、闪锌矿结构 晶体缺陷 硅的制备 冶金级硅、电子级硅 晶体生长 CZ、FZ、LEC 晶圆制备 流程、CMP 第四章 污染控制 污染问题 主要污染物、污染引起的问题 污染源 主要污染源 洁净室 晶圆清洗 晶圆表面污染物 颗粒去除 化学清洗、RCA清洗流程 冲洗、烘干 吸杂 概念、方法、原理 第五章 热氧化 SiO2用途 SiO2的主要特性、用途 热氧化机制 干氧化、湿氧化 氧化层的生长 氧化率影响因素 氧化方法 氧化系统 反应炉、氧化源 氧化工艺 流程、工艺循环、RTP、RTO 热氮化 第六章 光刻 概述 光刻目的、图形转移 光刻胶 光刻胶极性、掩模版极性 光刻胶组成、表现要素、物理性质 图形尺寸变化、针孔 光刻工艺流程 步骤 旋转涂胶工艺、光刻机分类 第六章 光刻（续） 高级光刻工艺 图形处理问题 改进曝光源、波长与分辨率 对比效应、周相移动掩模版、光学临近纠偏 环孔照射、掩模版薄膜 晶圆表面问题 防反射涂层、驻波 平整化、复层光刻胶工艺、回刻平整、CMP 双掩模版 第八章 掺杂 概述 结的形成、同型掺杂、横向扩散 扩散 概念、扩散模式、主要问题 扩散工艺步骤、预淀积、推进 影响因素、扩散率、固溶率、杂质浓度与深度、扩散源 推进中的杂质再分布 离子注入 概念、优点、缺点 离子注入系统 注入离子的运动、空间分布、晶体损伤和修复 沟道效应、电荷积累、离子注入的应用 第九章 淀积 概述 要求、阶梯覆盖、填充问题 淀积工艺 分类 CVD原理、反应类型、微观过程、分类 分子束外延 PVD原理、蒸发、溅射、比较 薄膜 种类 外延硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅 金属薄膜、铝、铜、隔离层金属、难熔金属 主要薄膜种类的生长工艺 *