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0803 0803 电电力电子技术复习提纲 2 2 第22章 电力电子器件 1. 1. 11..为了减小本身的损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态 2.半控型器件：晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件（只能控制其导通不能控制其关断） 全控型器件：IGBT 和Power MOSFET（既可以控制其导通又可以控制其关断） 不可控器件：电力二极管（PowerDiode） 3.电流驱动型：GTR 和GTO（具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作 频率较低，所需驱动功率大，驱动电路也比较复杂） 电压驱动型：电力MOSFET（输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高） 4.单极型器件：电力MOSFET 双极型器件：电力二极管、晶闸管、GTO和GTR 5.可能触发的情况：阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 6.导通和关断条件： 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。 当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保 持导通 。 若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流 IH IH 降到接近于零的某一数值（维持电流IIHH）以下。 7.几个参数 断态重复峰值电压：允许重复加在器件上的正向峰值电压 反向重复峰值电压：允许重复加在器件上的反向峰值电压 维持电流IH：维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安 擎住电流 IL 约为IH 的2~4倍 电压上升率du/dt 过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 电流上升率di/dt过大，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。 8.门极可关断晶闸管GTO 9.电力晶体管GTR：主要的特性是耐压高、电流大、开关特性好 10.电力MOSFET：用栅极电压来控制漏极电流 11.绝缘栅双极晶体管IGBT 3 3 第33章 整流电路 1.单相半波可控整流电路 1 电阻负载： 整流电压ud波形在一个电源周期中只脉动1次 1 π 2U 1+cosα U = 2U sinωtd(ωt)= 2 (1+cosα)= 0.45U d 2π ∫α 2 2π 2 2 2 阻感负载：移相范围为180，其承受的最大正反向电压均为u2的峰值即 2U2 2.单相桥式全控整流电路 2 1 电阻负载：晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为 U2 和 2U2 2 1 π 2 2U 1+cosα 1+cosα U = 2U sinωtd(ωt)= 2 = 0.9U d π ∫α 2 π 2 2 2 U 2 2U 1+cosα U 1+cosα I = d = 2 = 0.9 2 d R πR 2 R 2