第一章绪论-第二章纳米材料制备.pptVIP

纳米材料化学 绪论 纳米材料的制备 纳米材料的结构与性能 纳米材料的结构分析与表征 纳米材料的开发与应用 纳米材料的研究现状 参考文献 1.4 纳米材料与其他学科的交叉、渗透 MA法是美国INCO公司于60年代末发展起来的技术。它是一种用来制备具有可控微结构的金属基或陶瓷基复合粉末的高能球磨技术：在干燥的球型装料机内，在高真空Ar2气保护下，通过机械研磨过程中高速运行的硬质钢球与研磨体之间相互碰撞，对粉末粒子反复进行熔结、断裂、再熔结的过程使晶粒不断细化，达到纳米尺寸。然后、纳米粉再采用热挤压、热等静压等技术，加压制得块状纳米材料。研究表明，非晶、准晶、纳米晶、超导材料、稀土永磁合金、超塑性合金、金属间化合物、轻金属高比强合金均可通过这一方法合成。 3） 高能机械球磨法(MA)制备纳米粉体 该法合金基体成分不受限制、成本低、产量大、工艺简单，特别是在难熔金属的合金化、非平衡相的生成及开发特殊使用合金等方面显示出较强的活力，该法在国外已进入实用化阶段。如美国INCO公司使用的球磨机直径为2m，长3m，每次可处理约1000kg粉体，这样的球磨机1993年在美国安装有七座，英国安装有二座，大多用来加工薄板、厚板、棒材、管材及其它型材。 近年来，该法在我国也获得了广泛的重视。其存在的问题是研磨过程中易产生杂质、污染、氧化及应力，很难得到洁净的纳米晶体界面，对一些基础性的研究工作不利。它是一个无外部热能供给的、干的高能球磨过程，是一个由大晶粒变为小晶粒的过程。此法可合成单质金属纳米材料，还可通过颗粒间的固相反应直接合成各种化合物（尤其是高熔点纳米材料）:大多数金属碳化物、金属间化合物、Ⅲ-Ⅴ族半导体、金属-氧化物复合材料、金属-硫化物复合材料、氟化物、氮化物。 这是目前较为常用的方法（尤其是用于制备薄膜材料与磁性材料），是近年来发展极为迅速的一种新工艺。它通过控制非晶态固体的晶化动力学过程使晶化的产物为纳米尺寸的晶粒，通常由非晶态固体的获得和晶化两个过程组成。非晶态固体可通过熔体激冷、高速直流溅射、等离子流雾化、固态反应法等技术制备，最常用的是单辊或双辊旋淬法。由于以上方法只能获得非晶粉末、丝及条带等低维材料，因而还需采用热模压实、热挤压或高温高压烧结等方法合成块状样品。晶化通常采用等温退火方法，近年来还发展了分级退火、脉冲退火、激波诱导等方法。 4） 非晶晶化法制备纳米晶体 目前，利用该法已制备出Ni、Fe、Co、Pd基等多种合金系列的纳米晶体，也可制备出金属间化合物和单质半导体纳米晶体，并已发展到实用阶段。近年来Fe-Si-B体系的磁性材料多由非晶晶化法制备。 该法的特点是成本低，产量大，界面清洁致密，样品中无微孔隙，晶粒度变化易控制，并有助于研究纳米晶的形成机理及用来检验经典的形核长大理论在快速凝固条件下应用的可能性。其局限性在于依赖于非晶态固体的获得，只适用于非晶形成能力较强的合金系。 物理气相沉积法包括蒸镀、电子束蒸镀、溅射等，纳米薄膜的获得主要通过两种途径，在非晶薄膜的晶化过程中控制纳米结构的形成；在薄膜的成核生长过程中控制纳米结构的形成，其中薄膜沉积条件的控制显得极为重要。此法作为一种常规的薄膜制备手段被广泛应用于纳米薄膜的制备与研究工作，包括蒸镀、电子束蒸镀、溅射等。 5） 物理气相沉积方法制备纳米薄膜 这一方法主要通过两种途径获得纳米薄膜： ①在非晶薄膜晶化的过程中控制纳米结构的形成，比如采用共溅射法制备Si/SiO2薄膜，在700～900℃氮气气氛下快速降温获得Si颗粒； ②在薄膜的成核生长过程中控制纳米结构的形成，其中薄膜沉积条件的控制和在溅射过程中，采用高溅射气压、低溅射功率显得特别重要，这样易于得到纳米结构的薄膜。 该技术是由Paillard等人于1994年初开始发展起来。首先将所要沉积的材料激发成原子状态，以Ar、He气作为载体使之形成团簇，同时采用电子束使团簇离化，然后利用飞行时间质谱仪进行分离，从而控制一定质量、一定能量的团簇束沉积而形成薄膜。此法可有效地控制沉积在衬底上的原子数目。 6） 低能团簇束沉积法（ＬＥＢＣＤ）制备纳米薄膜 7） 压淬法制备纳米晶体 压淬法就是利用在结晶过程中通过高压抑制原子的长程扩散，控制晶体的成核速率和晶体生长过程，从而实现晶粒的纳米化。通过对熔融合金保压急冷（压力下淬火，简称“压淬”）来直接制备块状纳米晶体，并依靠调整压力来控制晶粒的尺度。目前主要用于制备纳米晶合金。与其他纳米晶制备方法相比，它有直接制得纳米晶；能制得大块致密的纳米晶；界面清洁且结合好；晶粒度分布较均匀等优点。其局限性在于需很高的压力，大块尺寸获得困难，另外在其它合金系中尚无应用研究的报道。 快速凝固对晶粒细化有显著效果的事实已为人所知。急冷和深过冷是实现熔体快速凝固行