材料科学基础课件04晶体缺陷.pptVIP

* 重构表面：表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内，但垂直方向的层间距则与体内相同 d0 d0 as a * 吸附表面 也称界面，它是在清洁表面上有来自体内扩散到表面的杂质和来自表面周围空间吸附在表面上的质点所构成的表面。 根据原子在基底上的吸附位置，一般可分为四种吸附情况，即顶吸附、桥吸附、填充吸附和中心吸附等。 * 固体的表面自由能和表面张力 与液体相比： 固体的表面自由能中包含了弹性能。表面张力在数值上不等于表面自由能； 固体的表面张力是各向异性的。 实际固体的表面绝大多数处于非平衡状态，决定固体表面形态的主要是形成固体表面时的条件以及它所经历的历史。 固体的表面自由能和表面张力的测定困难。 * 5. 润湿与粘附 润湿是一种流体从固体表面置换另一种流体的过程。 最常见的润湿现象是一种液体从固体表面置换空气，如水在玻璃表面置换空气并展开。 1930年Osterhof和Bartell把润湿现象分成沾湿、浸湿和铺展三种类型。 * 沾湿：液体在固体表面上的粘附 S L v 沾湿的粘附功Wa： Wa≥0， 则（ΔG）TP≤0，沾湿过程可自发进行 其粘附功总是大于零，不管对什么液体和固体沾湿过程总是可自发进行的 * 浸湿 S V L 浸润功Wi 只有固体的表面自由能比固一液的界面自由能大时浸湿过程才能自发进行 * 铺展：恒温恒压下，置于固体表面的液滴在固体表面上自动展开形成液膜，则称此过程为铺展润湿。 铺展系数SL/S Wc是液体的内聚功 只要液体对固体的粘附功大于液体的内聚功，液体即可在固体表面自发展开 S V L * 接触角和 Young方程 S V L θ γSV γLV γSL 平面固体上液滴受三个界面张力的作用达到平衡： Young方程 * 铺展： 粘湿： 浸湿： θ=0或不存在，S≥0 对同一对液体和固体，在不同的润湿过程中，其润湿条件是不同的。对于浸湿过程，θ=90°完全可作为润湿和不润湿的界限；θ90°，可润湿；θ90°，则不润湿。但对于铺展，则这个界限不适用。 * S V L S 沾湿 浸湿 铺展 * 表面粗糙度的影响 Wenze1方程，式中r为粗糙因子，也就是真实面积与表观面积之比，总大于1 θ＜90°时，θ’＜θ，润湿前提下，粗糙化后θ’变小，更易为液体所润湿 θ＞90°时，θ’ ＞θ，不润湿的前提下，表面粗糙化后θ’变大，更不易为液体所润湿。 * 粘附及其化学条件 固体表面的剩余力场不仅可与气体分子及溶液中的质点相互作用发生吸附，还可与其紧密接触的固体或液体的质点相互吸引而发生粘附。 粘附现象的本质是两种物质之间表面力作用的结果。 * 粘附通常是发生在固液界面上的行为，决定条件： 润湿性 ：粘附面充分润湿是保证粘附处致密和强度的前提，润湿愈好粘附也愈好 粘附功（W）：把单位粘附界面拉开所需的功，粘附功数值越大，说明将液体从固体表面拉开，需要耗费的能量越大，即互相结合牢固 粘附面的界面张力γSL ：界面张力的大小反映界面的热力学稳定性。γSL越小，粘附界面越稳定，粘附力也越大。 相溶性或亲和性 ：指两者润湿时自由能变化dG＜0。因此相溶性越好，粘附也好。 * * （a）正攀移（半原子面缩短） (b)未攀移 （c）负攀移（半原子面伸长） 3. 位错的攀移 * 3. 位错的攀移 正攀移（半原子面缩短） 未攀移 负攀移（半原子面伸长） * 攀移的实质：通过原子扩散实现半原子面的向上（正）向下（负）移动，多余半原子面的伸长或缩短，位错线随之运动，运动方向垂直于b。 螺位错没有多余半原子面，故无攀移运动。 由于原子是逐个加入，所以位错线在攀移过程中存在很多割阶。 只有在高温下才可能发生: 蠕变、回复、单晶拉制 攀移作用力 * 六、位错应变能 位错原子偏移正常位置，产生畸变应力，处于高能量状态，但偏移量很小，晶格为弹性应变。 位错心部应变较大，超出弹性范围，但这部分能量所占比例较小，10%，可以近似忽略。 * 假设： 1. 完全服从虎克定律，即不存在塑性变形 2. 各向同性 3. 连续介质，不存在结构间隙 1. 理论基础：连续弹性介质模型 单位体积弹性能： * 2.螺位错应变能 取微元环r，厚度dr，总的剪切应变大小为b，均匀分布在整个周长上 各点切应变： 切应力： 微元环： 单位长度螺位错： * 3.刃位错应变能 简写为： a=0.5(//)~1.0(┴) 高位错能储存在晶体内，驱动位错反应，与其他缺陷作用 * 七、位错线张力 位错具有应变能，具有自我降低的趋势，使位错线自动缩短至直线的趋势。类似于在位错线两端施加了线张力。 线张力T（N）和位错能U(Jm-1)在数值上相等，表现形式不同。 单根位错趋于直线保持最短长度。 多