光催化历史，原理，应用教程.pptVIP

* 随着光强的增加， 照射到催化剂表面的光量子数增多， 从而激发出更多的高能电子———空穴对， 降解效果提高。目前， 国内多相光催化氧化有机物的研究工作多采用电光源。利用电光源进行光催化氧化实验时， 在光源功率较低的情况下， 提高光源的功率可加快反应的速度。但当光源的功率提高到一定程度后，光催化氧化反应的速度不再随着功率的提高而加快。太阳光中的光子数德数量级是5*10的18方 光强，在同等波长的条件下，一般强度越高，效率越高，但并非线性相关的，一般在低光强时，有机物降解速度与光强呈线性关系，高光强时，降解速度与光强的平方根存在线性关系。 波长则一般越短，效率越高，即使中压汞灯的功率是低压汞灯的十几倍，但处理效果还不如低压汞灯。高压汞灯主波长365nm，低压253纳米 * 溶液pH 值的变动对光催化体系的影响较复杂:①pH值影响催化剂表面电荷的种类及数量，从而影响有机物的吸附;②pH值变动影响催化剂表面羟基浓度和半导体带边电位的移动，pH值升高则TiO2表面羟基浓度增大，可降低电子、空穴复合速率，加快·OH的形成并使导带电子还原能力增强。 TiO 2 在水中的等电点大约是 pH =6 ， 当 pH 值较低时， TiO 2表面质子化同时质子化的 TiO 2 表面带有正电荷， 这对光电子向 TiO 2 表面转移是有利的； 在中性条件下， 水分子与光生空穴反应形成· OH 和质子。 当 pH 值较高时， 因为 OH-大量存在， TiO 2 表面带有负电荷， 利于空穴向颗粒内部到表面的转移。因此， 在高 pH 值和低 pH 值时， 都能出现光催化氧化的高反应速率。但是PH太高和太低对反应器的要求太高。 在水溶液中TIO2颗粒分散得越好，受紫外线照射的面积越大，产生的电子一空穴越多，同时空穴迁移到TiO2表面的越多，光催化活性就越高。溶液的pH值能改变颗粒表面的电荷，从而改变颗粒在溶液中的分散情况，当溶液pH值接近TIO2等电点时，由于范德华引力的作用，颗粒之间容易团聚形成大颗粒。因此，当悬浮液pH值远离等电点pH值时，由于颗粒相互间的排斥力，其在溶液中分散很好。 * 在光催化反应中，受温度影响的反应步骤是吸附、解吸、表面迁移和重排等。但不是决定光催化反应速率的关键步骤，因此，温度对光催化反应的影响不大。但随后发生的一系列氧化还原反应， 大多伴随着放热或吸热效应， 因而温度的影响是不能忽视的。 * 许多研究认为半导体表面的光催化降解速率遵循经典的Langmuir—Hinshelwood 动力学模型，即当反应物浓度较低时，符合一级动力学规律，降解速率与浓度成正比；浓度足够大时，反应速率将不再随浓度的变化而变化，表现为零级反应；反应物浓度介于其间时，反应级数介于0～1之间。 光催化反应形成空穴与光致电子， 可能复合而失去催化活性，光催化反应中最重要的就是要阻止电子—空穴对的复合，因此常投加捕获剂以达到提高光生载流子效率，提高活性的目的。所以在反应中如有电子接受体如 O 2 、 O 3 、 H 2 O 2 、 Fe3+等存在时吸收光致电子，减少光致电子与空穴的复合， 能大大提高光催化活性。 * 研究表明当溶液中存在硫酸根等无机阴离子时， 环己烷的去除率有所降低。这主要是由于溶液中的硫酸根与氢氧根、水在催化剂表面存在吸附竞争，减少了·OH 的生成，抑制了环己烷的光催化氧化速率。 金属离子反应生成金属原子或金属氧化物覆盖催化剂 * TiO2的投加量对各需降解元素有一个最佳投放值。 TiO2粉体对于紫外光有一定的散射作用，投加量过多时容易造成光散射以及光能量的浪费，从而降低反应速度; TiO2投加量过少时，光催化反应主要发生在催化剂表面，催化剂投加量过少，提供的反应表面较少，吸附在催化剂表面的反应液量较少，从而造成还原率较低。选择最佳的TiO2投加量，既可以获得最大的光催化效率，又可以节省资源。在选择最佳催化剂投加量条件时，应考虑到经济效益。 * 在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。 缺陷对晶体的物理性质具有极其重要的影响，可分为面缺陷、线缺陷和点缺陷三种。 这些缺陷的存在对光催化活性可能起着非常重要的影响。有的缺陷可能成为电子或空穴的捕获中心，抑制了二者的复合，以至于光催化活性有所提高，但也有的缺陷可能成为电子-空穴的复合中心而降低反应活性。 * 对于催化反应，它是由光生电子与空穴引起的氧化还原反应，在催化剂表面不存在固定的活性中心。因此，表面积是决定反应基质吸附量的重要因素，在晶格缺陷等其他因素相同时，表面积越大则吸附量越大，活性就高。 * 半导体的能带位置和被吸附