半导体器件物理chapter5_MOS场效应晶体管教程.pptVIP

五、MOSFET的电容和频率特性 反型层或沟道的反型电荷Qi 沟道下面的耗尽区体电荷QB 栅极电荷QG （QG＝Qi＋QB） 由漏－衬底、源－衬底PN结引起的电荷 MOSFET的瞬态特性是由器件的电容效应，即器件中的电荷存储效应引起的。MOSFET中的存储电荷主要包括： 根据其特性，可以将这些电荷分成本征部分和非本征部分。 在交流高频情况下，MOS器件对这些本征电容和非本征电容电容充放电存在一定延迟时间。此外，载流子渡越沟道也需要一定的时间，这些延迟时间决定MOSFET存在使用频率的限制。 截止频率fT 截止频率定义为输入电流与交流短路输出电流相等时对应的频率，记为fT。通常，把流过Cgs的电流上升到正好等于电压控制电流源gmvgs的频率定义为的截止频率，由此得到 ωTCgsvgs=gmsvgs→ωT=gm/Cgs →fT=gms/(2πCgs) 漏极电流对栅极信号电压的响应是通过载流子在沟道中的输运实现的，载流子从源到漏的运动需要一定时间、因而栅极加了外来信号，漏极并不立即产生输出，延迟决定了截止频率fT。 六、MOSFET的技术发展 The Ideal MOS Transistor v衬底的变化 v栅的变化 v沟道的变化 v源漏的变化 v工作机制的 衬底的变化 SOI技术是指先形成一种“单晶硅薄膜-绝缘层-衬底材料”的结构，然后采用平面工艺在与衬底绝缘的单晶硅薄层上制备集成