半导体器件物理chapter6_TFT及其制造技术教程.pptVIP

与VLSI掺杂技术相比，p-Si掺杂特点： (a)、衬底的低热导率要求“温和”的掺杂工艺以缓解对光阻的热损伤； (b)、注入能量适合于有掩蔽层（或掩蔽层）时薄膜（＜100 nm)的掺杂； (c)、设备简单（低成本），且能对大面积基底实现高产率； (d)、掺杂工艺与低温杂质激活工艺兼容（通常＜650 oC,对于塑料基底＜200 oC）. TFT器件典型性能参数及特点比较 （cm2/Vs) 开关电流比 关键工艺 优势 不足 a-Si TFT 0.5~1 107 A-Si:H沉积及掺杂 低温,玻璃塑料基底 　低、有 光响应 p-Si TFT 100~300 105~107 硅膜沉积、晶化、掺杂 高迁移率 高温,有光响应 小分子TFT 0.1~10 104~106 蒸镀 　高于聚合物TFT 难大面积, 有光响应 聚合物TFT 0.01~1 103~105 旋涂、打印 低成本,易大面积 　低,不稳定,有光响应 ZnO TFT 1~100 105~108 溅射、ALD 　高,可见光透明 难大面积,不稳定 注:表中数据仅为典型值. TFT的主要应用 1. LCD、OLED显示有源驱动的关键器件 右图为简单的两管组成的模拟驱动方式，通过调制驱动管T2的栅极电流来控制流过OLED的电流，从而达到调节发光亮度的目的。T1管为寻址管。写信号时，扫描线处于低电位，T1导通态，数据信号存到电容C1上；