半导体物理学二单元_半导体中的杂质和缺陷教程.pptVIP

●束缚激子 等电子陷阱俘获一种符号的载流子后，又因带电中心的库仑作用又俘获另一种带电符号的载流子，形成束缚激子。 ●两性杂质 举例：GaAs中掺Si（Ⅳ族） Ga：Ⅲ族 As：Ⅴ族 Si Ga 施主 两性杂质 SiAs 受主 两性杂质：在化合物半导体中，某种杂质在 其中既可以作施主又可以作受主，这种杂质称为两性杂质。 §2.3氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 点缺陷：空位、间隙原子 线缺陷：位错 面缺陷：层错、晶界 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 1、缺陷的类型 §2-4 缺陷能级 2.元素半导体中的缺陷 (1) 空位 Si Si Si Si Si Si Si Si 原子的空位起受主作用。 (2) 填隙 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 间隙原子缺陷起施主作用 As Ga As As As As Ga As Ga Ga Ga As Ga As Ga As ●反结构缺陷 GaAs受主 AsGa施主 3. GaAs晶体中的点缺陷 ●空位VGa、VAs VGa受主 VAs 施主 ●间隙原子GaI、AsI GaI施主 AsI受主 e 4.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的缺陷 Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体 离子键结构 —负离子 —正离子 + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - a.负离子空位 产生正电中心，起施主作用 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + + - + - + - + - + - 电负性小 b.正离子填隙 产生正电中心，起施主作用 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + + - + - + - + - + - - + 产生负电中心，起受主作用 c.正离子空位 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - - + + - + - + - + - + - - 电负性大 产生负电中心，起受主作用 d.负离子填隙 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + + - + - + - + - + - - - 负离子空位 产生正电中心，起施主作用 正离子填隙 正离子空位 负离子填隙 产生负电中心，起受主作用 第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 1.什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2.什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。 3.什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出p型半导体。 4.掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 5.两性杂质和其它杂质有何异同？ 6.深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 7.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。 施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P，P为Ⅴ族元素。 本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有四个与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而P的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离。 3、解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带提供空穴，这种杂质就叫受主。 受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。 受主电离前带不带电，电离后带负电。 例如，在Si中掺B，B为Ⅲ族元素，而本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入B中后，B的最外层三个电子与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而B倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主电