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磁控溅射法制备mnzn铁氧体薄膜技术研究-材料科学与工程专业论文 word格式
ABSTRACTalso was discussed both with annealing and without. It demonstrates the moderate thick of the buffer layer can improve saturation magnetization but the effect on coercivity is limited. When the buffer layer reach the thickness of 40nm, the films got a good qualification of Ms (297 kA/m) and coercivity (6.8kA/m).Keywords:MnZn ferrite films; RF magnetron sputtering; Crystalization; ZnFe2O4 ferrite buffer layer目 录目 录第一章 绪论 .................................................................................................................... 11.1 引言 ............................................................................................................................ 11.2 MnZn 铁氧体薄膜国内外研究现状11.2.1 MnZn 铁氧体薄膜制备技术发展 11.2.2 MnZn 铁氧体薄膜性能研究现状 51.3 选题意义及研究内容 ............................................................................................... 61.3.1 选题意义............................................................................................................. 61.3.2 研究内容............................................................................................................. 71.4 论文结构 ................................................................................................................... 7第二章 实验设备及仪器 ................................................................................................ 92.1 氧化物陶瓷工艺 ....................................................................................................... 92.2 射频磁控溅射沉积薄膜 ............................................................................................ 92.2.1 辉光放电............................................................................................................. 92.2.2 射频磁控溅射的特点....................................................................................... 102.3 测试与表征 ..............................................................................................................112.3.1 X 射线衍射仪(XRD)112.3.2 扫描电子显微镜(SEM) 132.3.3 X 射线光电子能谱(XPS) 142.3.4 原子力显微镜(AFM) 15
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