第四讲场效应管.pptVIP

1.4 场效应管 1.4 场效应管 2. 工作原理 现以N沟道结型场效应管为例讨论外加电场是如何来控制场效应管的电流的。 如图1.4.2所示，场效应管工作时它的两个PN结始终要加反向电压。对于N沟道，各极间的外加电压变为UGS≤0，漏源之间加正向电压，即UDS＞0。 当G、S两极间电压UGS改变时，沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变，由于沟道宽度的变化，导致沟道电阻值的改变，从而实现了利用电压UGS控制电流ID的目的。 1.4 场效应管 1）UGS对导电沟道的影响 当UGS＝０时，场效应管两侧的PN结均处于零偏置，形成两个耗尽层,如图1.4.3（ａ）所示。此时耗尽层最薄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。 当|UGS|值增大时，栅源之间反偏电压增大，PN结的耗尽层增宽，如图1.4.3（b）所示。导致导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ? 当|UGS|值增大到使两侧耗尽层相遇时，导电沟道全部夹断，如图1.4.3（c）所示。沟道电阻趋于无穷大。对应的栅源电压UGS称为场效应管的夹断电压， 用UGS(off)来表示。 1.4 场效应管 1.4 场效应管 2）UDS对导电沟道的影响 设栅源电压UGS=0,当UDS=0时，ID=0，沟道均匀，如图1.4.3（a）所示。 当UDS增加时，漏极电流ID从零开始增加，ID流过导电沟道时，沿着沟道产生电压降，使沟道各点电位不再相等，沟道不再均匀。靠近源极端的耗尽层最窄，沟道最宽;靠近漏极端的电位最高，且与栅极电位差最大，因而耗尽层最宽，沟道最窄。由图1.4.4(b)可知，UDS的主要作用是形成漏极电流ID。 1.4 场效应管 1.4 场效应管 3）UDS和UGS对沟道电阻和漏极电流的影响 设在漏源间加有电压UDS，当UGS变化时，沟道中的电流ID将随沟道电阻的变化而变化。 当UGS=0时，沟道电阻最小，电流ID最大。当|UGS|值增大时，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，电流ID减小，直至沟道被耗尽层夹断，ID=0。 当0UGSUGS(off)时，沟道电流ID在零和最大值之间变化。 改变栅源电压UGS的大小，能引起管内耗尽层宽度的变化，从而控制了漏极电流ID的大小。 场效应管和普通三极管一样，可以看作是受控的电流源，但它是一种电压控制的电流源。 1.4 场效应管 2）输出特性曲线（或漏极特性曲线） 输出特性曲线是指在一定栅极电压UGS作用下，ID与UDS之间的关系曲线，即 1.4 场效应管 二、MOS场效应管 这种场效应管是由金属（Metal）,氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）组成的，故称MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种。按照工作方式不同可以分为增强型和耗尽型两类。 1.增强型Ｎ沟道绝缘栅场效应管 1)结构和符号 图1.4.7是N沟道增强型MOS管的示意图。MOS管以一块掺杂浓度较低的P型硅片做衬底，在衬底上通过扩散工艺形成两个高掺杂的N型区，并引出两个极作为源极S和漏极d；在P型硅表面制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在二氧化硅表面再喷上一层金属铝，引出栅极g。这种场效应管栅极、源极、漏极之间都是绝缘的，所以称之为绝缘栅场效应管。 1.4 场效应管 1.4 场效应管 2）工作原理 图1.4.8是N沟道增强型MOS管的工作原理示意图。工作时栅源之间加正向电源电压UGS，漏源之间加正向电源电压UDS,并且源极与衬底连接,衬底是电路中最低的电位点。 当UGS=0时，漏极与源极之间没有原始的导电沟道，漏极电流ID=0。这是因为当UGS=0时，漏极和衬底以及源极之间形成了两个反向串联的PN结，当UDS加正向电压时，漏极与衬底之间PN结反向偏置的缘故。 1.4 场效应管 当UGS0时，栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极g指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层，当UGS增大到一定程度时，绝缘体和P型衬底的交界面附近积累了较多的电子，形成了N型薄层，称为N型反型层。反型层使漏极与源极之间成为一条由电子构成的导电沟道，当加上漏源电压UDS之后，就会有电流ID流过沟道。通常将刚刚出现漏极电流ID时所对应的栅源电压称为开启电压，用UGS(th)表示。 1.4 场效应管 1.4 场效应管 当UGSUGS(th)时，UGS增大、电场增强、沟道变宽、沟道电阻减小、ID增大；反