清华大学《电子电路与系统基础I》李国林精品教学9.pdfVIP

电子电路与系统基础I 理论课第九讲 分段折线法：MOSFET 电流镜、反相器电路 李国林 清华大学电子工程系 MOSFET电流镜、反相器电路 大纲 • MOSFET的分段折线电路模型 – 晶体管物理结构 – 端口伏安特性 • 分段折线描述 • MOSFET电流源 – 电流镜 • MOSFET反相器 – NMOS反相器 – CMOS反相器 李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2016年春季 2 D D NMOSFET结构 G G B S S • Metal-Oxide- Semiconductor Field- Effect Transistor 源极 栅极 漏极 Source Gate Drain – 金属-氧化物-半导体 结构的场效应晶体管 Metal – Transistor: Transfer Oxide Semiconductor Resistor N 累积电子 N • 晶体管，转移电阻器 P • 受控的非线性电阻 – MOS电容 衬底 – 沟道形状变化 N-Channel Bulk NMOSFET 李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2016年春季 3 W L 源极 栅极 漏极 NMOSFET伏安特性方程 Source Gate Drain