数电第七章脉冲波形的产生与整形教程.ppt

(2)工作原理 (仅分析稳定工作时的状态） 设:反相器翻转 门坎电平为 VTH＝1/2VDD ①设Vo1=1,Vo2=0:暂态Ⅰ VDD→V1 →R →C →V4向C充电。 当VC上升使VC＝VTH 电路翻转, Vo1↓、Vo2↑ 。 ② Vo1=0,Vo2=1:暂态Ⅱ VDD→V3 → C → R →V2向C反向充电。 当VC下降使VC＝VTH 电路翻转,Vo1↑、Vo2↓→电路回到暂态Ⅰ。 (3)工作波形 ①t=0时刻接通电源，C未充电； VC=0，VO1=VDD , VO2=0; 第一暂稳态; VDD VTH VC vO1 vO2 VDD VDD ②VO1高电平，VO2低电平，通过R向C充电, VC电压逐渐升高. VO2 G1 G2 VO1 Vc R C 1 1 VDD+VTH VDD VTH vI vO1 vO2 VDD VDD ③当VC上升至VTH时, 门电路G1发生状态翻转， →VO1=0 ,VO2=VDD 电容两端电压不能突变 →VC=VTH 突变成VC=VDD+VTH VC应该上升到1.5VDD，但是由于保护二极管的作用， VC不能上升那么高，仅到达VDD+ΔV+ VDD+ΔV+ (3)工作波形(续1) VO2 G1 G2 VO1 Vc R C 1 1 VDD+ΔV+ VDD VTH vI vO1 vO2 VDD VDD VDD+ΔV+ ④VO1=0,VO2=VDD, 电容通过R放电并反向充电 VC电压逐渐下降。 第二暂稳态; (3)工作波形(续2) VO2 G1 G2 VO1 Vc R C 1 1 ⑤当VC下降到VTH, 门电路G1再次发生状态变化 →VO1=VDD, VO2=0 此时VC =VDD-VTH,电容电压不能突变 →VC =VTH-VDD VDD VTH vI vO1 vO2 VDD VDD VDD+ΔV+ VC应该下降到-1/2VDD, 由于保护二极管的作用，VC只能下降到-ΔV＋ -ΔV＋ -1/2VTH VO2 G1 G2 VO1 Vc R C 1 1 (3)工作波形(续3) ⑥ VC =-ΔV＋ VO1=VDD VO2=0,回到第一暂稳态， 电路继续持续翻转、振荡。 VDD VTH vc vO1 vO2 VDD VDD VDD+ΔV+ -ΔV＋ (3)工作波形(续4) VO2 G1 G2 VO1 Vc R C 1 1 (4)振荡频率计算： VDD VTH vC vO2 VDD VDD+ΔV+ -ΔV＋ t1 t2 T1 T2 RC电路的瞬态响应： VO2 G1 G2 VO1 Vc R C 1 1 VO1 VC R C VO2 T1: t1为时间起点0+； T2: t2为时间起点0+ ； 计算T1： VC(0+)=-ΔV＋ VC(T1)=VTH VC(∞)=VDD VDD VTH vC vO2 VDD VDD+ΔV+ -ΔV＋ t1 t2 T1 T2 =VDD vO2=0 VO1 VC R C (4)振荡频率计算(续1): 计算T2： VC(∞)=0 VC(T2)=VTH VC(0+)=VDD+ΔV+ VDD VTH vI vO2 VDD VDD+ΔV+ -ΔV＋ t1 t2 T1 T2 vO1=0 vO2=VDD vI R C (4)振荡频率计算(续2) ： ΔV+的值为保护二极管的正向导通电压,大约为0.7V,相对于VDD可以忽略不计,对CMOS门电路：VTH=1/2VDD (4)振荡频率计算(续3) ： 三、施密特触发器 1.两级CMOS反向器构成的施密特触发器 ⑴电路 ⑵原理 1 R1 VO 1 R2 Vi Vo1 G1 G2 Vi’ Vi＝0 →Vo1 ＝1→ VO ＝0 ① Vi由0上升 Vi↑ → Vi’ ↑ →Vth 引起正反馈 Vi’ ↑ →Vo1 ↓ → Vo ↑ 结果：Vo1 ＝0，VO ＝1 Vi’ 由Vi单独作用： 1 R1 VO 1 R2 Vi Vo1 G1 G2 Vi’ Vi↓ → Vi’ ↓ →Vth 引起正反馈 Vi’ ↓ →Vo1 ↑ → Vo ↓ 结果：Vo1 ＝1，VO ＝0 ⑵原理（续1） ② Vi由最大值下降 Vi’ 由Vi和VO 共同作用： Vi＝1 →Vo1 ＝0→ VO ＝1 ⑵原理（续2） ③回差 Vi Vo VT－ VT＋ 构成同相电路 vI vO 555构成施密特电路的回差特性 构成反相电路 2.集成施密特触发器（74LS14） ⑴电路 ⑵原理 由输入级、滞后特性形成级、倒相放大级、 推拉输出级，4级电路组成。（书P219） 自学（核心器件：V1、V2、R2、R3、R4）。 ⑶特性曲线 Vi Vo VT－ VT＋ ⑷符号 3. 施密特触发器的应