微电子学概论Chap02单元.pptVIP

MOS的电流电压特性 （3）截止区：Vgs-Vtn≤0 Ids=0 Vds=Vgs-Vt （4）亚阈值区 栅电压低于阈值电压时，MOS管中形成弱反型层，漏电流Ids虽然很小，但并不为0，此时随栅电压成指数规律变化，称此时的电流为弱反型电流或者亚阈值电流，它主要是由载流子扩散引起的。 当VDS大于200mv时，电流的简化公式有： 其中I0为Vgs为0时的电流，它是一个实验值； VT＝kT/q； z为一个非理想因子，z1； （5）击穿区 VDS增大到一定程度，使晶体管漏-衬底PN结击穿。 3、PMOS管I~V特性 电流-电压表达式： 线性区：Isd=βp (|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) |Vds| 饱和区：Isd=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)2 三、MOS晶体管类别 按载流子类型分： NMOS: 也称为N沟道，载流子为电子。 PMOS: 也称为P沟道，载流子为空穴。 按导通类型分： 增强（常闭）型：必须在栅上施加电压才能形成沟道。 耗尽（常开）型：在零偏压下存在反型层导电沟道，必须在栅上施加偏压才能使沟道内载流子耗尽的器件。 四种MOS晶体管：N沟增强型；N沟耗尽型；P沟增强型；P沟耗尽型 （a）N沟增强： 输出特性 转移特性 Vgs 必须施加高于阈值电压才能有漏源电流。 (b)N沟耗尽： 输出特性 转移特性 在Vgs=0时，可能有较大电流流过。 沟道 （C）P沟增强: 输出特性 转移特性 （d）P沟耗尽: 输出特性 转移特性 四、MOS管的电容（电容效应由器件中的电荷存储效应引起的） Cgs：栅-源电容，栅和沟道电荷变化引起，包括栅对源的覆盖产生的结电容，是最大的电容； Csb’：源-衬电容，由源极反偏耗尽层产生，包括沟道对衬底的电容； Cdb’：漏-衬电容，漏极反偏耗尽层产生； Cgd：栅-漏电容，由于栅-漏的覆盖引起，也称miller电容； Cs-sw、 Cd-sw：源-漏区侧墙电容(sidewall capacitance)，由于场氧区的P+高掺杂，这两个电容也较大； Csb=Csb’+Cs-sw Cdb=Cdb’+Cd-sw Cgb：栅-衬底电容，较小； 五、CMOS （互补MOS）器件（已成为集成电路的主流） 作业 讨论二极管的工作原理。 讨论PMOS晶体管的工作原理，给出PMOS管的电流电压方程。 2.3 双极晶体管（Bipolar Junction Transistor， BJT) 一. 双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 分为：NPN和PNP两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度 发射区 收集区 基区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 双极晶体管的两种形式：NPN和PNP NPN c b e c b e PNP 双极晶体管的结构 和版图示意图 二、 NPN晶体管的电流输运机制 正常工作时的载流子输运 相应的载流子分布 a图 b图 晶体管中两个结的相互作用是通过载流子输运体现出来。 非平衡少子的扩散运动是晶体三极管的工作基础。 处于正常工作的晶体管，发射结加正向偏压，收集结加反向偏压。 在基区中存在少子（电子）的浓度梯度，发射结注入基区的电子将由边界X2向X3扩散，到X3后被收集结电场拉向收集区，并漂移通过收集区流出收集极（见b图） 。同时基区向发射区注入空穴，在扩散过程中不断与电子复合而转换为电子漂移电流。 由基极流入的空穴一部分注入发射区；另一部分与注入基区的电子复合（见a图）。 NPN晶体管的电流输运 NPN晶体管的电流转换 电子流 空穴流 发射结有两股扩散电流。 收集区有两种电流 正向发射结把电子注入到P型基区，基区宽度远远小于电子的扩散长度，注入到基区的电子来不及复合就扩散到反向收集结的边界，被反向收集结的抽取作用拉向收集区。正是由于发射结的正向注入作用和收集结的反向抽取作用，使得有一股电子流由 发射区流向收集区。 NPN晶体管的几种组态 共基极 共发射极 共收集极 共基极 共发射极 共收集极 N N P 晶体管的共收集极接法 c b e 三、 晶体管的直流特性（输入和输出电流—电压关系曲线，可鉴别晶体管的性能） 1. 共发射极的直流特性曲线 三个区域： 饱和区(两个结均正偏) 放大区(Vbe正偏，Vcb反偏) 截止区(两个结均反偏) 2 . 共基极的直流特性曲线 四. 晶体管的特性参数 1. 晶体管的电流增益（放大系数〕 共基极直流放大系数和交流放大系数?0 、 ? 两者的关系 共发射极直流放大系数交流放大系数?0、 ? 2. 晶体管的反向漏电流和击穿电压 反向漏电流(越小越好) Icbo：