STC_EEPROM延长使用寿命的大数据记录C程序.docVIP

STC_EEPROM延长使用寿命的大数据记录C程序 在我们华清士科技公司的产品研发中，使用很多远程传感器的记录方案，在单片机编程的时候，觉得以下程序切实提高了STC单片机的EEPROM使用灵活性和寿命。特此分享出来，期待可以抛砖引玉。 原理是这样的：STC-eeprom一个字节的写入，只能将1的状态 写成 0。这样一个字节就可以被写8次， 记录8个状态（分别是0xFE 0XFB 0XF8 0XE0 0XB0 0X80 0X00）。当然其实还有一个状态是0XFF ，这是扇区被整个擦写后的状态。我们就每记录一个数据，就在检索区加写1/8个字节，作为记录次数标识。 这样一组数据（示例之中为6个字节）所占用的空间实际上是 6+1/8字节。以此我们可以根据STC单片机型号的不同，将策划好的扇区数填入程序函数里面，每一次加电重启，都有一个程序来读取检索区的记忆次数，顺便，记录区的地址，都会有了。（EEPROM_start0-EEPROM_start1 作为次数记录区，总共记录EEPROM_mu_MAX组数据。）（x_ready_ok,x_ready_out,x_eeprom_need为该示例eeprom的标志） 这个程序我们已经上机演示调试成功。类似的应用也在华清士公司的几种除湿模块产品上得到广泛使用。效果良好。 写此文是希望为我们钟爱的STC单片机开发做一些支持。希望也得到广大工程师的交流沟通，共同提高。下面是该C语言的程序。应该在STC公司的 IAP型号上面都可以调试成功。当然在别的型号上面，比如STC12F04XE等上面，程序之中的起始扇区当然是1了，因为eeprom记录地址是从0x00（第一个扇区）开始的。STC_EEPROM连续存储示例.c //------------------------------------------------------------------ // 程序开始 宏定义 硬件接口定义 //------------------------------------------------- ---------------- #include STC15F2K60S2.h #include intrins.h //#include absacc.h //#include math.h #define _Nop() _nop_() //STC15W413AS -TSSOP20 单片机封装 //该程序为演示程——演示EEPROM 13k 空间的自动分配 以及 多次记录数据检索 //原始目的：利用STC-eeprom读写规则，尽量减少擦写次数，以延长EEPROM使用寿命。 //策划好串口命令后，可以连续读出24小时记录的传感器数据等等功能。 //深圳市华清士科技发展有限公司研发部 DONGsq //sfr P1 = 0x90; //1111,1111 端口1 sbit T_W3D = P1^0 ;// = P1^0; sbit T_W6D = P1^1 ;// = P1^1; sbit T_W9D = P1^2 ;// = P1^2; sbit T_K0 = P1^3 ;// = P1^3; sbit T_K1 = P1^4 ;// = P1^4; 网络正常指示 sbit T_K2 = P1^5 ;// = P1^5; 低电平有效 sbit T_K3 = P1^6 ;// = P1^6; 输入测试1 sbit T_K4 = P1^7 ;// = P1^7; 输入测试2 //sfr P3 = 0xB0; //1111,1111 端口3 //sbit com_RXD = P3^0; //0xB0 //sbit com_TXD = P3^1; //0xB1 外接烧写口 sbit IO_IN0 = P3^2;// = P3^2; 悬空 sbit BUZ = P3^3;// = 蜂鸣器 高电平有效。 sbit OUT1 = P3^4;// = 电机驱动 低电平有效 sbit k485 = P3^5;// = P3^5; 大电流开启 //sbit TXD485 = P3^6; //0xB6 写入485的串口TXD //sbit RXD485 = P3^7; //0xB7 读取485的串口RXD //sfr P5 = 0xC8; //xxxx