专题10-DS18B20.ppt

单线总线特点 单总线属于串行总线的一种，即只有一根数据线，系统中的数据交换，控制都由这根线完成。 单总线通常要求外接一个约为 4.7K~10K 的上拉电阻，这样，当总线闲置时其状态为高电平。 DS18B20的主要特征： 全数字温度转换及输出。 先进的单总线数据通信。 最高12位分辨率，精度可达土0.5摄氏度。 12位分辨率时的最大工作周期为750毫秒。 可选择数据线寄生电源工作方式。 检测温度范围为–55°C ~+125°C 内置EEPROM，限温报警功能。 64位光刻ROM，内置产品序列号，方便多机挂接。 多样封装形式，适应不同硬件系统。 DS18B20内部结构如图所示 主要由4部分组成：64 位ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。 ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作 是该DS18B20的地址序列码，每个DS18B20的64位序列号均不相同。64位ROM的排的循环冗余校验码（CRC=X^8＋X^5＋X^4＋1）。 ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。 DS18B20管脚排列 GND为电源 地； DQ为数字信号输入／输出端； VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地， DS18B20工作原理与应用 温度测量与数字数据输出集成在一个芯片上，抗干扰能力增强； 工作周期分为：温度检测与数据处理； 三种形态的存储资源： ROM RAM EEPROM （1） DS18B20的ROM （2）DS18B20的RAM及EEPROM AT89C51对DS18B20的读写操作 DS18B20与MCU接口——寄生工作方式 外部电源供电 DS18B20的工作时序 DS18B20的一线工作协议流程是： 初始化→ROM操作指令→存储器操作指令→数据传输。 其工作时序包括： 初始化时序 写时序 读时序 初始化时序 接下来就是主机发出各种操作命令，但各种操作命令都是向DS18B20写0和写1组成的命令字节，接收数据时也是从DS18B20读取0或1的过程。因此首先要搞清主机是如何进行写0、写1、读0和读1的。 写周期最少为60微秒，最长不超过120微秒。写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始。随后若主机想写0，则继续拉低电平最少60微秒直至写周期结束，然后释放总线为高电平。若主机想写1，在一开始拉低总线电平1微秒后就释放总线为高电平，一直到写周期结束。而做为从机的DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样，在采样期内总线为高电平则为1，若采样期内总线为低电平则为0。 对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。读时隙是从主机把单总线拉低之后，在1微秒之后就得释放单总线为高电平，以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后，便开始送出数据，若是要送出0就把总线拉为低电平直到读周期结束。若要送出1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线，然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完成对总线进行采样检测，采样期内总线为低电平则确认为0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程，至少需要60us才能完成。 （３）发送存储器指令 现在我们要做的是让DS18B20进行一次温度的转换，那具体的操作就是： 1、主机先作个复位操作， 2、主机再写跳过ROM的操作（CCH）命令， 3、然后主机接着写个转换温度的操作命令，后面释放总线至少一秒，让DS18B20完成转换的操作。在这里要注意的是每个命令字节在写的时候都是低字节先写，例如CCH的二进制在写到总线上时要从低位开始写，写的顺序是“0、0、1、1、0、0、1、1”。整个操作的总线状态如下图。 读取RAM内的温度数据。同样，这个操作也要接照三个步骤。 1、主机发出复位操作并接收DS18B20的应答（存在）脉冲。 2、主机发出跳过对ROM操作的命令（CCH）。 3、主机发出读取RAM的命令（BEH），随后主机依次读取DS18B20发出的从第0一第8，共九个字节的数据。如果只想读取温度数据，那在读完第0和第1个数据后就不再理会后面DS18B20发出的数据即可。同样读取数据也是低位在前的。整个操作的总线状态如下图： 初始化时序 温度读取 先读温度地位，再读温度高位； 温度转换 实际温度值=(TH*256+TL)/16,即：TH*16+TL/16 这样得出的是温度的整数部分,小数部分被丢弃了。 读温度准备： void ReadyReadTemp(void) { Init_DS18B20();