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* 2、动态存储器（DRAM） （1）DRAM存储位元 （2）DRAM存储器 （3）DRAM的刷新方式 （4）DRAM存储器的特点 * （1）DRAM存储位元 “1”状态：电容C上有电荷 “0”状态：电容C上无电荷 再生：读出后信息可能被破坏，需要重写。 刷新：经过一段时间后，信息可能丢失，需要重写。 单管MOS动态存储器结构 * （2）DRAM存储器 4M×4位的DRAM * DRAM的读/写过程 * （3）DRAM的刷新方式 刷新周期：从上一次刷新结束到下一次对整个DRAM全部刷新一遍为止，这一段时间间隔称为刷新周期。 刷新操作：即是按行来执行内部的读操作。由刷新计数器产生行地址，选择当前要刷新的行，读即刷新，刷新一行所需时间即是一个存储周期。 刷新行数：单个芯片的单个矩阵的行数。 对于内部包含多个存储矩阵的芯片，各个矩阵的同一行是被同时刷新的。 对于多个芯片连接构成的DRAM，DRAM控制器将选中所有芯片的同一行来进行逐行刷新。 单元刷新间隔时间：DRAM允许的最大信息保持时间一般为2ms。 刷新方式：集中式刷新、分散式刷新和异步式刷新。 * 集中式刷新 例：64K×1位DRAM芯片中，存储电路由4个独立的128×128的存储矩阵组成。设存储器存储周期为0.5μs，单元刷新间隔是2ms。 在2ms单元刷新间隔时间内，集中对128行刷新一遍，所需时间128×0.5μs =64μs，其余时间则用于访问操作。 在内部刷新时间（64μs）内，不允许访存，这段时间被称为死时间。 * 分散式刷新 在任何一个存储周期内，分为访存和刷新两个子周期。 访存时间内，供CPU和其他主设备访问。 在刷新时间内，对DRAM的某一行刷新。 存储周期为存储器存储周期的两倍，即0.5μs×2＝1μs。 刷新周期缩短，为128×1μs ＝128 μs。在2ms的单元刷新间隔时间内，对DRAM刷新了2ms÷128μs=15.625遍。 * 异步式刷新 异步刷新采取折中的办法，在2ms内分散地把各行刷新一遍。 避免了分散式刷新中不必要的多次刷新，提高了整机速度；同时又解决了集中式刷新中“死区”时间过长的问题。 刷新信号的周期为2ms/128=15.625μs。让刷新电路每隔15μs产生一个刷新信号，刷新一行。 * （4）DRAM存储器的特点 使用半导体器件中分布电容上有无电荷来表示0和1代码。 电源不掉电的情况下，信息也会丢失，因此需要不断刷新。 存取速度慢，集成度高（容量大），价格低。 常用作内存条。 * 3、SRAM和DRAM的对比 比较内容 SRAM DRAM 存储信息0和1的方式 双稳态触发器 极间电容上的电荷 电源不掉电时 信息稳定 信息会丢失 刷新 不需要 需要 集成度 低 高 容量 小 大 价格 高 低 速度 快 慢 适用场合 Cache 主存 * 二、只读存储器ROM MROM PROM EPROM E2PROM Flash Memory * 几种非易失性存储器的比较 存储器 类别 擦除方式 能否单字节修改 写机制 MROM 只读 不允许 否 掩膜位写 PROM 写一次读多次 不允许 否 电信号 EPROM 写多次读多次 紫外线擦除，脱机改写 否 电信号 E2PROM 写多次读多次 电擦除，在线改写 能 电信号 Flash Memory 写多次读多次 电擦除，在线改写 否 电信号 * 三、高性能的主存储器 EDRAM，即增强型DRAM CDRAM，带Cache的DRAM EDO RAM (Extended Data Out RAM)。也称“扩展数据输出RAM” SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)，也称“同步DRAM”。 RDRAM (Rambus DRAM） DDR SDRAM（双倍速率SDRAM），简称DDR。 * * 第5章 存储体系 5.1 存储体系概述 5.2 主存储器 5.3 主存储器与CPU的连接 5.4 高速存储器 5.5 高速缓冲存储器Cache 5.6 虚拟存储器 5.7 外存储器 5.8 存储保护 * 5.1 存储体系概述 一个二进制位（bit）是构成存储器的最小单位；字节（8bits）是数据存储的基本单位。 单元地址是内存单元的唯一标志。 存储器具有两种基本的访问操作：读和写。 一、存储器的分类 二、主存储器的性能指标 三、存储器的层次结构 * 一、存储器的分类 1、计算机存储系统中的存储器分类 2、计算机的主存储器分类 * 1、计算机存储系统中的存储器分类 （1）按存储介质分类 半导体器件：半导体存储器（RAM、ROM，用作主存） 磁性材料：磁表面存储器（磁盘、磁带，用作辅存） 光介质：光盘存储器（用作辅存） （2）按存取方式分类 随机存取存储器：存储