第三章 高效lll一V族化合物太阳电池太阳能电池精品.ppt

GaInP/InGaAs/Ge系列三结叠层电池的研究已获得了巨大成功，在1个太阳常数下的转换效率已达到32%(AM1.5)，在聚光条件下的转换效率已达到41.1%(A M1.5,454倍太阳常数)。但是， GaInP/InGaAs/Ge叠层结构的能带匹配并不理想，它们的带宽分别约为1.8eV/1.4eV/0.65eV；很显然，第二结的带宽1.4ev与第三结的带宽0.6ev相差太大，与太阳光谱的匹配不理想。为匹配更佳，它们之间还缺少一个带宽约为1eV过渡的中间结;也就是说，如果能形成1.8eV/1.4eV/1eV/0 .65eV的四结叠层结构，能带匹配将会理想得多，这种4结叠层太阳电池对太阳光谱的吸收将会更加充分。近十年来，各国的科学家为了寻找这种带宽约为1ev，晶格常数与GaAs和Ge相近的lll-V族材料，进行了许多研究工作。J.Olson等提出采用GaxIn1-xN1-yAsy四元系材料来研制 第3结子电池。因为通过调节x和y的值， GaxIn1-xN1-yAsy可以获得1ev的带隙。在光电子领域， GaxIn1-xN1-yAsy材料己研究得很多，通过x值和y值的调整， GaxIn1-xN1-yAsy材料可以发射出不同波段的光，因而GaxIn1-xN1-yAsy成为重要的LED和激光器光电子器件材料。但是，带隙为1ev的窄带隙GaxIn1-xN1-yAsy材料的材料质量很差，缺陷很多，载流子迁移率很低.因而研制出的GaxIn1-xN1-yAsy 太阳电池的短路电流很小，不能与GaInP/InGaAs/GaInNAs/Ge四结叠层电池中的其他三结的电流相匹配，限制了四结叠层电池的短路电流。至今虽对GaxIn1-xN1-yAsy材料进行了深入研究，但仍未见在材料和器件性能方面有突破性的报道。因此，有些科学家开始把注意力转向了寻找其他的带隙在约1ev附近的半导体材料。Si是大家都很熟悉的半导体材料。其带隙宽度为1.12eV。而且Si材料已研究得很成熟，它的纯度很高，完整性很好，是微电子和太阳电池的基础材料，因而是否可以用Si来形成四结叠层电池中的第三结呢?但这又回到了前面所讨论的问题，即GaAs/Si异质结生长的老问题。由于GaAs和Ge与l的晶格常数和热膨胀系数都相差很大，所以要想生长出GaAs/Si/ Ge异质结构是十分困难的。 2006年第四届WCPEC会议上，德国Fraonhofer ICE的J.Schone等报道了一种在Si衬底上异质外延生长GaAs材料的新技术。 他们应用这种技术研制出了高质量的Ga As/Si外延材料，位错密度降低到4×105cm-2以下，用这种异质结构材料研制出的单结GaAs/si太阳电池的效率为12%。 在同一个会议上，美国NREL的J.F.Geisz等报道了他们的GaAsP/si异质结构太阳电池研究成果。他们的特点是，采用组分渐变缓冲技术研制出了晶格失配的GaAsP/si异质结构太阳电池，在没有减少反射膜的条件下，电池效率为9·8%。 但是，这两篇最新文献报道的结果都没有超过1995年日本名古屋工大的T.Soga等的结果。T.Soga等采用多次循环热退火(TCA)方法使晶格失配的AlGaAs异质结构的应力得以弛豫，减少了位错，改善了AlGaAs/Si异质结构的材料质量。用此材料研制出的Al0.1Ga0.9As/Si异质结构单结太阳电池的效率达到12.9%。而Al0.15Ga0.85As/Si两结叠层电池的效率达到约20%。 综上所述，在Si衬底上生长GaAs 、AlGaAs、GaAsP 等lll一V族材料的研究虽然取得了一些成果，但与在GaAs或Ge衬底上生长的同类材料相比，还有很大差距。因此要想把Si材料应用为GaInP/GaAs/Si/Ge四结叠层电池的第三结材料还有很长的路要走。 为了避免寻找带隙约为1ev的第三结材料的困难，德国Fraunhofer ISF的A.Bett等绕过四结叠层电池的研究，直接由三结电池的基础去研究五结、六结叠层电池。图4.25给出了欧洲发展三结、五结、六结叠层电池的路线图。三结叠层电池的结构为GaInP/GaInAs/Ge。五结叠层电池的结构是在GalnP子电池的上面增加一结AIGalnP顶电池，在GalnAs子电池的上面增加一结AIGalnAs子电池，形成AIGalnP/GalnP/AIGalnAS/GaInAs/Ge五结叠层电池结构。而六结叠层电池的结构是在GaInAs结和Ge结之间增加一个带隙为0.9~1eV的GaInNAs第五结，形成AIGalnP/GalnP/AIGalnAS/GaInAs/ GaInNAs /Ge六结叠层电池结构。 五结叠层电池的实验研究已获得了显著进展。开路电压Voc已达到5.2V，其测量的外