太阳能电池物理.pptVIP

太 阳 能 电 池 物 理;太阳能电池是一种半导体二极管，吸收太阳光能量转换为电能。 冶金结，掺杂是通过扩散或离子注入或通过沉积过程。;1，基本介绍;二：半导体基本特性;2，能带结构;3，状态密度函数;4，平衡载流子浓度;不同温度下的费米函数;施主杂质和受主杂质，所有的掺杂杂质将引入额外的局域电子态，这些局域电子态经常在EC和EV之间 ;注意：当重掺杂时，杂质对系统的影响不能只看作是微扰，必须考虑重掺杂带来的影响。通常的，重掺杂的影响是降低了带隙EG，从而提高了本征载流子浓度。这种带隙变窄（BGN）对太阳能电池的性能是有害的，电池通常设计为避免这种效应，虽然在电池的接触电极附近的重掺杂区域可能会有这种因素。;5，半导体的光吸收;直接带吸收和间接带吸收;在电子跃迁过程中，要满足能量和动量守恒定律。 直接带隙，电子动量相同，如GaAs、GaInP等。 间接带隙，如Si，Ge，电子动量不同，动量守恒要求额外的粒子参与，声子代表晶格的振动，具有低的能量和高的动量，适合于间接吸收过程。包括声子的吸收和声子的发射。 对于间接带隙，光吸收不仅和电子的态密度有关，还和发射吸收声子的概率有关，是二级的过程，所以相对于直接带隙，吸收系数很小。 一般，间接带隙的光吸收，光的穿透深度比直接带隙要深。 ;Si和GaAs在300K下的吸收系数和能量关系图 ;太阳能电池的光吸收;6，半导体的光复合－光吸收的逆过程;1）单能级陷阱（SLT）复合;在高注入条件（n≈pn0,p0），复合率则表示为：;肖克莱-里德-霍尔复合理论：禁带中一个允许的能量状态（陷阱）充当复合中心的任务，它俘获电子和空穴的概率相同。这种相同的概率意味着对电子和空穴的俘获截面相等。 肖克莱-里德-霍尔复合理论假设带隙中能量Ei位置存在一个独立的复合中心（陷阱），这个单一的陷阱存在着四个基本过程：电子的俘获、电子的发射、空穴的俘获、空穴的发射。;2）辐射（带带）复合 ;3）俄歇复合 ;4）总的复合;5）表面态的复合;量化复合率不再用单位体积单位时间，而是单位面积单位时间，通常为：;7，载流子的传输;1）漂移运动;电子和空穴的迁移率;2）扩散运动;8，半导体方程式;9，少子扩散方程;太阳能电池，离pn结足够远（准中性区域），电场是非常小的。当考虑少数载流子和低注入（Δp＝ΔnND,NA）,漂移电流相对于扩散可以忽略，在低注入条件下，R简化为：;三：PN结二极管静电学;PN结;求解泊松方程;平衡下，Si的pn结能级图，电场，电荷密度 ;四：太阳能电池基本原理。;边界条件;在平衡条件下，费米能级与位置无关；在非平衡时，引入准费米能级，并假设半导体非简并的，则 ：;2,光产生率;3，少数载流子扩散方程的解 ;4，输出特性 ;4，输出特性 ;;;5，太阳能电池的I-V特性 ;I-V特性如下图，参数如右表所示。为了简化，忽略耗尽区域暗电流（特别对于较大的正偏压）。;对于开路，光生电流全部从二极管1流过，所以开路电压可以写为：;电池最重要的指标：转换效率 ;6，高效率太阳能电池;7，少子寿命和表面复合;寿命小表示扩散长度比基材料厚度少得多，此时，少子的产生深度大于一个扩散长度将不能被收集。当 时，有 ;7，少子寿命和表面复合;7，少子寿命和表面复合;SF,eff和工作点有关，下表更容易看出（LpWN）。;8，太阳能电池输出特性的模拟;漏斗有很多孔，一些水将泄漏掉而没有从活塞流出。 这些泄漏代表少子的复合，不同形状的孔代表不同的复合中心。比如，方形孔代表基区域的复合、圆形孔代表耗尽层的复合、三角形孔代表背接触的表面复合，等等。 水流入漏斗的流量正比于光的强度，在稳定状态，水将有一个高度，此时流入的水Igen，等于从活塞流出的水I和泄漏掉的水（复合）Irecomb之和。 此时，从活塞流出的水代表电池电流I，水位高度电压V。;8，太阳能电池输出特性的模拟;五：其它的主题;1，效率和带隙;2，光谱响应;3，寄生电阻效应;串连电阻RS对I－V特性的影响;并连电阻RSH对I－V特性的影响;4，温度效应;5，Concentrator Cells;p-i-n cell在许多半导体材料都很有优势，特别是直接带隙半导体（大吸收系数），大部分的电子－空穴对在很接近表面的位置产生。 如果在pn区域直接加上本征层，载流子在耗尽区电场的作用下被收集，这有助于抵消低寿命材料，如非晶硅。 I－V特性可以通过修改少子的表达式，最重要的修改是耗尽层的宽度为： 。WI为本征层的厚度，既然N和P都很薄，short-base近似。没有BSF（SBSF无穷大）。 ;给出基于太阳能电池工作的基本物理原理。 回顾了电池材料的基本物理性质，包括半导体吸收光子转换为电流的能量