氮化铝薄膜的制备及介电性能研究.pdfVIP

第 30 卷 第 3 期 山东陶瓷 Vol . 30 No . 3 2007 年 6 月 SHANDONG CERAMICS J un . 2007 ·科学实验 · 文章编号 : 1005 - 0639 (2007) 03 - 0007 - 07 氮化铝薄膜的制备及介电性能研究 杨克涛1 ,2 ,傅仁利2 ( 1. 北大先行泰安科技产业有限公司 ,泰安 27 1000 ;2 . 南京航空航天大学材料学院 ,南京 2 100 16) 摘 　要 　采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积 AlN 薄膜 。通过 XRD 、 SEM 对绝缘膜层进行了研究分析 ,并测试了膜层的介电性能 。结果表明:在靶基距和溅射功 率分别为 5cm 、150W ,衬底温度在室温 25 ℃～300 ℃内制备的 AlN 薄膜为六方晶型 ,沿 c 轴平 ( ) ( ) 行于衬底表面的 100 和 110 晶面生长 。AlN 薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分 布在膜平面内,这可能是 200 ℃的衬底温度下 AlN 薄膜介电性能较好的原因。 关键词 　直流磁控反应溅射 ;AlN 薄膜 ;介电性能 ;蠕虫状 中图分类号 : TB43 文献标识码 :A 沉积 AlN 薄膜 ,研究了衬底表面温度对膜层结构 1 　引言 和表面形貌及介电性能的影响 。 AlN 薄膜具有优异的物理化学性质 ,如高热 2 　实验 导率 、高硬度 、良好的光学及力学性能 。在机械 、 电子 、光学等领域有着广泛的应用前景 。AlN 薄 2 . 1 　靶材和基片的选取 膜除用作金刚石红外窗口和头罩的抗氧化增透膜 靶材和基片材料都选用厚度为 1. 5mm 纯铝 ( ) Φ 外 ,还可用作压电薄膜 、绝缘膜与散热膜 。另一方 板 Al ≥99 . 7 % ,线切割成 = 60mm 圆片作为 面 ,在电子封装业中铝作为厚膜集成电路的基板 溅射用靶材 。用剪样机把铝板剪成 28mm × 的衬底 ,又具有较好的热耗散特性 ,可以满足 目前 28mm 的铝片 ,然后将铝片表面机械抛光至镜面 , ( ) 承载高集成度 、大功率器件基板的散热要求 。但 再放入丙酮 分析纯 溶液中超声清洗 10min ,最 ( ) 磁控反应溅射法制备 AlN 薄膜并应用于金属铝 后放入乙醇 分析纯 溶液中超声清洗 10min ,捞 衬底表面绝缘化处理的研究未见相关报道 。 出吹干作沉积用铝基片 。 本文采用磁控反应溅射法在金属铝衬底表面 2 . 2 　实验设备及氮化铝绝缘薄膜制备方法 图 1 　工艺流程 收稿日期 : 2007 - 03