此光电二极管的最大量子效率.pptVIP

3.2 光电检测器件 光电检测器是光接收机的关键器件，主要完成光信号到电信号的转换功能，一般是通过PN结的光电效应实现。 目前，常用的光电检测器件有：PIN-PD和APD。 PIN-PD：主要用于短距离、小容量的光纤通信系统。 APD：主要用于长距离、大容量的光纤通信系统。 （2）量子效率 入射光束在光电二极管的表面有一定的反射，设入射表面的反射率为r，在零电场区的表面层里产生的“电子—空穴”对不能有效的转换成光电流，因此，当入射光功率为Po时，光生电流可以表示为： w1是零电场区表面层的厚度，w是耗尽区的厚度， 是材料吸收系数。 光电二极管的量子效率表示入射光子能够转化成光电流的概率，是光生“电子—空穴”对和入射光子数的比值，即： 提高量子效率的措施：ａ、减小r；ｂ、减小w1和增加w 响应度和量子效率的关系 3、响应速度 响应速度是指光电检测器的光电转换速度，一般用响应时间来描述，即从器件接收到光子时起到能够有光生电流输出的这段时间。响应时间越短，响应速度越快。 影响响应速度的主要因素： 结电容和负载电阻的电路时间常数RC 耗尽区中的光生载流子的漂移时间 P+区和N+区中（零场区）的光生载流子的扩散时间 结电容和负载电阻的RC时间常数 载流子在耗尽区里的渡越时间 在耗尽区里产生的电子-空穴对在电场的作用下进行漂移运动，漂移运动的速度与电场强度有关，电场强度较低时，漂移速度正比于电场强度，当电场强度达到某一值Es（约为106V/m）后，漂移速度不再变化，达到极限漂移速度。若想使载流子能以极限漂移速度渡越耗尽区，反向偏压必须满足： 。 耗尽区外零场区的载流子由于扩散产生的时间延迟 耗尽区外产生的载流子一部分复合，一部分扩散到耗尽区，被电路吸收。由于扩散速度比漂移速度慢得多，因此，这部分载流子会带来附加时延，会使输出电信号脉冲拖尾加长，从而影响响应速度。 4、暗电流 理想条件下，当没有光照时，光电检测器应无光电流输出。但是实际上由于热激励、放射性物质的激励等，在无光照的情况下，光电检测器仍有电流输出，这种电流称为暗电流。 暗电流会引起接收机噪声增大。因此，器件的暗电流越小越好。 例题： 一个PIN光电二极管，它的P+接触层是1 厚。假设仅在耗尽区里吸收的光子才能有效地转换成光电流，当波长为 0.9 时，吸收系数 ，忽略反射损耗，求：（1）此光电二极管的最大量子效率 ； （2）使量子效率达到80%，耗尽区的最小宽度 应为多少？ SAM: 在长波长波段使用的APD结构为SAM（Seperated Absorption and Multiplexing）结构。这是一种异质结构，高场区由InP材料构成，吸收区用InGaAs材料构成。若光信号从P区入射，将透明的经过高场区，在InGaAs材料构成的耗尽区里被充分吸收，从而形成吸收区和倍增区分开的结构。在耗尽区形成的电子向N区运动，空穴向P区运动，形成纯空穴电流注入高场区的情况，不仅使APD获得较高的增益，而且可以减少过剩噪声。 当（V-IPR）→VB时，G有最大值，即： 可见要获得较大的G值，可以减小Ip和R值或增大击穿电压。 一般APD的倍增因子G在40～100之间。 PIN光电二极管没有雪崩增益作用，所以G=1。 2、倍增噪声 无倍增的散粒噪声 由入射到光电检测器光敏面上的光子产生电子-空穴对的随机性和离散性引起的噪声。（PIN-PD） APD的雪崩倍增噪声 原因：（1）入射的光子产生光生载流子的随机性； （2）每次光生电子-空穴对产生二次光生电子-空穴对的随机性。 倍增噪声可用过剩噪声系数F（G）描述。 定义APD的过剩噪声系数为： 符号表示平均值，随机变量g是每个初始的“电子-空穴”对生成的二次“电子-空穴”对的随机数，G是平均雪崩增益， 。 在工程上，为简化计算，常用过剩噪声指数x来表示过剩噪声系数，即： x值与APD的材料和结构有关。对于Si-APD，x值在0.3～0.5之间；对于Ge-APD，x值在0.8～1.0之间；对于InGaAsP-APD，x值在0.5～0.7之间。 由于倍增噪声系数F（G）表示APD因倍增作用而增加的噪声系数，所以选APD时，x的值越小越好。 3.2.3 光电二极管一般性能和应用 PIN二极管特点： 结构简单，可靠性高;电压低，使用方便 量子效率高 噪声小 带宽较高?? APD二极管特点：?? 灵敏度高?? 高