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微电子复习笔记（孙晓军 2010年12月22日） 第一章复习 1、微电子器件的特征尺寸发展方向：微米、亚微米( 1μm)、深亚微米(0.5μm )、超深亚微米(0.18μm)到纳米，逐步进入微观(量子态)态。 2、微电子技术是利用微细加工技术，基于固体物理、器件物理和电子学理论和方法，在半导体材料上实现微小型固体电子器件和集成电路的一门技术。其核心是半导体集成电路及其相关技术。 3、半导体集成电路是用半导体工艺技术将电子电路的元件(电阻、电容、电感等)和器件(晶体管、传感器等)在同一半导体材料上“不可分割地”制造完成，并互连在一起，形成完整的有独立功能的电路和系统。 4、 5、摩尔定律：每隔3年，特征尺寸缩小30％，集成度(每个芯片上集成的晶体管和元件的数目)提高4倍。其中专用集成电路(ASIC)和存储器每1～2年其集成度和性能均翻番。 6、平面工艺：该工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程，制作出晶体管和集成电路；器件和电路都是在芯片表面一层附近处，整个芯片基本上保持是平坦的（实际上存在许多台阶）；制作出的晶体管称为平面晶体管，称相应制作工艺为平面工艺。 7、1947年12月23日，W.Shockley、J.Bardeen和W.Brattam在美国Bell实验室，发明了点接触三极管，这是世界上第一只晶体三极管，它标志着电子技术从电子管时代进入到晶体管时代迈开了第一步。 美国TI(得州仪器)公司的J.S.Kilby于1958年宣布研制出了第一块IC(当时该电路仅为12个元件的混合集成电路)。 8、集成电路发展特点和技术经济规律 (a) 集成度不断提高 (b)小特征尺寸和大圆片技术不断适应发展需要 (e)化合物和宽禁带半导体的新发展 砷化镓器件仍然是当前主要的化合物半导体器件。 9、根据制造工艺和材料的不同，混合集成电路主要包括薄膜IC、厚膜IC、薄厚膜IC和多芯片组装(MCM)IC等。 (1)厚膜集成电路是采用厚膜（厚度大于lμm的膜）工艺制作的混合集成电路。采用丝网印刷和烧结等厚膜工艺。厚膜IC的特点是工艺简单．成本低廉，适合多品种小批量产品。 10、集成电路设计与制造的阶段(选择) (1) 电路系统设计：根据电路系统的指标要求，构成可集成化的集成电路系统。 (2) 版图设计和优化：是将设计好的线路系统转化为具体的物理版图的过程。 (3) 集成电路的加工制造是将设计好的版图，通过工艺加工最终形成集成电路芯片。 (4) 集成电路的封装：又称集成电路的后道工艺。主要是指圆片加工完之后的组装工艺。 (5) 集成电路的测试和分析：在集成电路制造圆片阶段的测试称为中测（中间测试），电路封装好以后的测试称为成测(成品测试)。 11、 第二章复习 1、价带、导带和禁带 (3)价带：与最外层价电子能级对应的能带称为价带。 (4)导带：价带上方是未被电子占据的空能带。 (5)禁带：各能带之间的间隔中不存在电子能态。 Eg = Ec - Ev 。禁带中央的能量位置记为Ei。1eV=1.60×10-19J。 典型材料的禁带宽度 2、费米能级：晶体中费米能级在能带中的位置反映了各能级电子占据的位置。 3、质量作用定律：在热平衡时，半导体中电子浓度(n)和空穴浓度(p)的乘积等于本征载流子浓度的平方，np=ni2 4、迁移率：半导体晶体材料中载流子的漂移速度与所加电场有关，漂移速度与电场强度之比例因子称为载流子的迁移率．即 几种半导体材料的迁移率 5、饱和漂移速度（选择题） 室温下硅中电子漂移速度与电场强度的关系 6、PN结电容 7、肖特基二极管(SBD) （1）肖特基二极管：利用金属和半导体的功函数差不同而形成的一种整流接触二极管。 （2）肖特基势垒宽度 8、 9、提高BJT电流增益的途径（与提高共基极电流增益、共射极电流增益一致） (a)减小R□e，即提高发射区的掺杂浓度。 (b)增大R□b ，即减少基区的掺杂浓度。但是如果基区掺杂浓度过低，将导致许多副作用，例如使基区宽变效应严重、基区串联电阻增大。因此基区掺杂浓度要适度。 (c)减少基区宽度Wb，这是提高电流增益最有效的方法。 (d)增大Lnb，即提高基区非平衡少子的寿命。 (e)增大λ，使基区杂质分布尽量陡峭。 10、欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。R□b减小，这一现象称为基区电导调制。 12、电流集边效应（选择题） （1）在基区串联电阻上产生的压降称为基区横向压降。 （2）由于基区横向压降的影响，使发射结电流集中位于离基极近的发射结边缘处，这一现象称为电流集边效应。 13、 14、最高振荡频率的（选择题） (1