化学是ECMP效率的关键.docVIP

电化学机械抛光（ECMP）技术利用电荷来使平坦化变得更容易。外加电压将金属铜氧化，得到它的离子（Cu+和Cu++）。然后这些铜离子与电解液中的化学物质发生反应，形成钝化层。抑制剂是ECMP所用电解液的关键成分，因为它能够影响钝化薄膜、平坦化、去除速率和表面光洁度。　　对铜表面上钝化效应的研究已经持续了多年1-4。在传统的化学机械平坦化（CMP）中，人们发现钝化层与去除速率、表面光洁度和平坦化效率密切相关5-8。钝化层涉及到铜表面至少被部分地氧化剂所氧化而形成氧化铜，然后是抑制剂。钝化薄膜的形成对CMP 工艺至关重要, 这主要取决于选择合适的抑制剂化合物和浓度。ECMP技术利用电荷, 因而不再需要氧化剂。所以，钝化薄膜由抑制剂和二价铜离子（Cu++）之间的反应形成。这使它与铜表面之间的键合很弱，用极小的下压力和/或磨蚀就可以很容易地去除。因而, 影响ECMP 钝化薄膜的主要因素之一是抑制剂的浓度和效率。 　　系统评估　　 我们在台式（benchtop）实验中使用一个改进的三电极系统来模拟抑制剂在带图形的硅片的沟槽和场区域内的钝化能力。如图1所示，该系统包括工作电极、反向电极（白金丝网） 和参考电解液（饱和AgCl/Ag）。我们对工作电极（铜棒）旋转和不旋转这两种情况进行了实验设计（DoE）。反向电极材料是白金丝网，而抛光垫材料是聚氨酯IC1000。 　　在这个实验设计中, 抛光垫可以被取出和放回，以模拟用ECMP来抛光带图形硅片时的非接触和接触条件。工作电极被连接到一台速度受电压控制的旋转马达上。在每次实验之前，电化学实验所用的铜棒都会在电解液中机械抛光120秒，以保证得到新鲜的铜表面。　　在电化学实验中使用了一个计算机控制的恒电压仪/恒电流仪。所有实验都是在一个300毫升玻璃器皿中进行的。电压从-0.5扫描到2.7 V来产生动电压极化曲线，扫描速率为10mV/sec，包括旋转和不旋转两种情况。每个实验都是在新鲜的电解液内进行的。 　　为了模拟抑制剂在带图形硅片的沟槽和场区域内的钝化能力, 使用了两个极端的条件。我们假设在硅片抛光过程中，沟槽100%的不与抛光垫接触, 而场区域则100%的与抛光垫接触。因为在铜棒和抛光垫之间没有磨蚀，所以可以用不旋转的I-V曲线来模拟带图形硅片的沟槽区域。而旋转的I-V曲线则可用于模拟抛光过程中带图形硅片上的场区域和突出部分，因为铜棒的旋转会引起铜棒与抛光垫之间的磨蚀。 　　在循环伏安实验中，电流强度的差别可以反映出抑制剂的钝化能力。在旋转的I-V曲线情况下, 电流密度反映出场区域中的钝化薄膜被抛光垫磨蚀而被去除的速率。在不旋转的I-V曲线情况下, 电流密度则反映出沟槽内的去除速率。铜棒能以不同的转速旋转来模拟抛光台对铜硅片的速度影响。 　　使用不同的下压力、偏压和一个下方装有反向电极的专有抛光垫来进行实验设计。这个反向电极被分成三个同心区域，以形成对抛光过程的电学区域控制。每个区域都可以独立地设置工作电压和时间。可以通过实验来调整对各个区域的控制并获得平坦的轮廓。 　　抑制剂的对比　　抑制剂的选择会影响到平坦化、去除速率和表面光滑度等因素。我们使用动态阳极极化测试了多种抑制剂反应物。图3中总结的I-V曲线随参考电极（Ag/AgCl）变化的阳极平坦化研究结果表明，摩尔浓度相等的不同抑制剂的钝化效果差别很大。抑制剂A的钝化效果最好。　　我们还考虑了抑制剂浓度的影响。没有抑制剂时，电流会随电压逐渐增大。这表明钝化层很弱，当电压达到0.5V以上时，铜就立即开始分解。但是随着有效抑制剂浓度的增大，在铜表面会形成钝化层以阻止铜的分解。钝化层随着浓度的升高而变强。 　　如图4所示是电解液中铜的阳极极化曲线。上方的IV曲线代表有铜棒磨蚀的情况，而下方的曲线则是无铜棒磨蚀的情况。两条曲线之间的电流密度差别很大，这表明去除速率的不同。有磨蚀时的去除速率更高，因为它模拟的是场区域和恒定钝化层的去除。基于同样的原理，沟槽区域的去除速率在很大的电压范围内接近于零。因此，我们得出结论：在这种电解液中平坦化的效率很高。　　最后我们研究了去除速率与电压的函数关系。在不同时间周期和不同电压下，我们测量了电解液中旋转和不旋转的铜棒的静态极化电压（图5）。在时间区域1内，每个电压极化在短时间内就会达到其最大电流，并能够在较大的电压范围（1.0-2.5V）内保持这个水平一段时间。我们在时间区域2中使铜棒停止旋转，也使铜棒和抛光垫之间的磨蚀停止。在最初的3秒内电流快速下降，这表明当停止磨蚀时会迅速形成一个薄的钝化层。在时间区域3又恢复了铜棒的旋转，电流回升到区域1的水平。去除电流和相对于参考电极的电压之间存在线性关系（图6），表明铜的去除速率与电压成正比。 　　在铜表面形成钝