介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入.pdfVIP

第 53 卷 第 8 期 2004 年 8 月 物 　理 　学 　报 Vol. 53 ,No. 8 ,August ,2004 ( ) 10003290200453 08 266604 ACTA PHYSICA SINICA 2004 Chin. Phys. Soc. 介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入 过程中鞘层特性的影响 李雪春 　王友年 (大连理工大学物理系 , 三束材料改性国家重点实验室 , 大连　116024) ( ) 2003 年 9 月 26 日收到;2003 年 11 月 11 日收到修改稿 　　针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺 ,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充 电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响. 数值模拟结果表明 :随着等离子体密度的增高 ,表面 的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加 ,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小. 关键词 : 等离子体浸没离子注入 , 脉冲鞘层 , 绝缘介质 , 充电效应 PACC : 5265 , 5240 , 5225 性进行深入的讨论. 本文将利用一维平板鞘层模型 , 1 引 言 对介质表面的充电效应进行较深入的研究 ,讨论等 离子体密度、绝缘介质的厚度对鞘层厚度、介质表面 ( 最近几年 , 等离子体浸没离子注入 plasma 有效电位及介质表面积累电荷量的影响. ) immersion ion implantation ,简称 PIII 技术在材料表面 改性和制备新型功能薄膜材料方面得到了广泛的应 2PIII 鞘层模型 用 ,相应地在理论上也进行了一定的研究[1 —11 ] . 在 PIII 材料表面改性技术中 ,直接将靶浸没在等离子 考虑在密度为 n0 的等离子体中放置一个金属 体中 ,并在靶上施加负脉冲高电压. 这样靶周围形成 平板 ,平板的上面有一厚度为 d 的介质材料. 当在 一个脉冲鞘层 ,该鞘层电场将电子排斥出鞘层区 ,而 金属电极上施加一负脉冲高压 ( - V0 ( t ) ) 时 , 则在 等离子体中的离子则在鞘层电场的作用下朝靶表面 绝缘介质前面形成一瞬时鞘层. 等离子体中的离子 作加速运动并注入到靶中 ,从而达到材料表面改性 在鞘层电场的作用下 ,将朝介质表面做加速运动. 由 的目的. 由于PIII 技术具有设备结构简单、注入效率 于介质材料的导电性很差 ,这样将在介质表面上积 高等优点 ,其应用范围已由最初的金属材料表面改 累起一层电荷 ,如图 1 所示. 在介质表面积累的瞬时 [1 ] [2 ,3 ] [7 ] 性 扩展到高聚物、半导体等材料的表面改性 . 电量为 特别是可将这种技术应用于集成电路中使用的微电