MEMS课件 第九章2.ppt

微制造综述（二） 熊 继 军 中北大学微米纳米技术研究中心 体硅工艺 表面工艺 LIGA工艺 表面微加工技术 表面微机械加工以硅片为基体，通过多层膜淀积和图形加工制备三维微机械结构。 硅片本身不被加工，器件的结构部分由淀积的薄膜层加工而成，结构与基体之间的空隙应用牺牲层技术，其作用是支撑结构层，并形成所需要形状的最基本过程，在微器件制备的最后工艺中解牺牲层。 相对于通过物理、化学方式去除基底材料的体硅微加工技术来讲，表面微加工技术主要靠在基底上逐层添加材料而构造微结构。淀积技术，特别是低压化学气相淀积技术（LPCVD），通常用于建立微结构。多晶硅通常作为添加材料；牺牲层通常是SiO2。先构造MEMS的组成部分，然后再去除，以在深度（厚度）方向形成必要的空间。湿法腐蚀通常是用来达到去除的目的。 体硅制造和表面微加工的比较 MEMS 器件的表面微加工流程 基本概念 在微机械加工中，通常将两层薄膜中的下面一层腐蚀掉，只保留上面的一层，这种技术称为牺牲层腐蚀，又称为分离层腐蚀。 利用牺牲层腐蚀技术直接在衬底表面制作微机械元件结构的技术被称为“硅表面微机械加工技术”。 牺牲层技术 属硅表面加工技术。 是加工悬空和活动结构的有效途径。 采用此种方法可无组装一次制成具有活动部件的微机械结构。 牺牲层材料 影响牺牲层腐蚀的因素 牺牲层厚度 腐蚀孔阵列 塌陷和粘连及防止方法 酒精、液态CO2置换水； 依靠支撑结构防止塌陷。 典型牺牲层腐蚀工艺 ) 氧化，做体硅腐蚀掩膜层； ) 光刻氧化层，开体硅腐蚀窗口； ) 体硅腐蚀出所需底层结构； ) 去除SiO2； ) 生长或淀积牺牲层材料； ) 光刻牺牲层材料成所需结构； ) 生长结构材料； ) 光刻结构材料； ) 牺牲层腐蚀，释放结构层； ) 防粘结处理。 利用牺牲层技术形成活动微结构的一般工艺 利用牺牲层制造硅梁的过程 A、淀积Si3N4并刻窗口 在硅衬底上淀积一层Si3N4膜，作为多晶硅梁的绝缘支撑，并有选择地腐蚀出窗口 B、局部氧化生成SiO2 利用局部氧化技术，在窗口处生成一层SiO2膜，作为牺牲层。 C、淀积多晶硅并刻微梁 在SiO2层及剩下的Si3N4层上淀积一层多晶硅膜，厚约2um D、横向腐蚀形成空腔 腐蚀掉SiO2形成空腔，即得到多晶硅桥式可活动的硅梁 表面微机械加工应用材料 表面微机械加工要求所应用的材料是一组相互匹配的结构层、牺牲层材料。 结构层材料必须满足应用所需的电学和机械性能，例如静电执行器的导电结构以及绝缘层。 牺牲层材料应有好的粘结力、低的残余应力，同时既满足工艺条件又不产生相反作用等。 表面微机械加工的特点 1、在表面微机械加工中，硅片本身不被刻蚀，没有穿过硅片，硅片背面也无凹坑。 2、表面微机械加工适用于微小构件的加工，结构尺寸的主要限制因素是加工多晶硅的反应离子刻蚀工艺。 3、形成层状结构的特点为微器件设计提供较大的灵活性。 4、可实现微小可动部件的加工。 5、与IC工艺兼容性好。 表面微机械加工技术的应用 利用表面微机械加工技术，可以加工制造各种悬式结构，如微型悬臂梁、悬臂、微型桥和微型腔等。这些结构可用于微型谐振式传感器、加速度传感器、流量传感器和电容式、应变式传感器中，同时利用表面微机械加工技术还可以加工制造各种致动器。 多层表面工艺 多晶硅的淀积 方法： 低压化学气相淀积（LPCVD） 常压化学气相淀积（APCVD） 等离子体增强化学气相淀积（PECVD） 分子束淀积 对于表面微机械加工来说，最主要的加工方法是以硅烷（SiH4）为气源，在热壁炉反应器内淀积多晶硅的LPCVD技术。 典型的加工条件： 温度：580?C～650 ?C 压力：100 ～400mtorr(1Pa=7.50062×10－3torr) 气体：100％硅烷（ SiH4 ） 气体流速取决于管道直径和其他条件 630 ?C，多晶硅淀积速率为10nm/min，温度降低，淀积速率也降低。 多晶硅的微结构与淀积条件有关。 在100％的硅烷气体，压力为200torr的LPCVD淀积条件下，低于580?C淀积时，薄膜为无定形，超过580?C薄膜为多晶。当薄膜为多晶时，随着温度的升高，晶粒结构发生变化。600 ?C时晶粒非常细小，625 ?C时晶粒长大，形成垂直于膜面的柱状结构；随着膜厚的增加晶粒尺寸增大。晶粒的位向取决于淀积温度，600 ～650?C之间薄膜的主要位向110，650 ～700?C之间薄膜的主要位向100。 淀积态的薄膜应力 应用多晶硅制备微机械主要考虑问题之一是薄膜应力。 平均残余应力和应力梯度依赖于淀积条件；薄膜初始态的微结构对最终薄膜的性能产生明显的影响。 利用St