MEMS课件 第十章1.ppt

微机电系统技术基础 主要内容一 微机电系统设计过程二 微机电系统设计实例 一 微机电系统设计过程 微系统和其它产品在机械工程设计上的主要区别是:微系统的设计需要集成相关的制造和加工工艺。 在微系统设计中有三个主要任务是互相交联在一起的： （1）工艺流程设计； （2）机电和结构设计； （3）包括封装和测试在内的设计验证。 设计约束可能很多，也可能不多，根据具体情况而 定。很多约束是与产品的市场相关的，是非技术 的。下面是微系统的一些典型约束。 客户需求。 进入市场时间（TIM）。 环境条件。 物理尺寸和重量限制 应用 制造设备 成本。 材料选择 主要基底材料 有两类基底材料： （1）仅用于支撑的钝性基底材料。这包括聚合物、塑料、陶瓷等； （2）活性基底材料，如硅、砷化镓、石英等，在微系统中用于传感或致动部件中。 硅： 机械性能稳定，成本不高，加工性好； 是微传感器和加速度计的极好的备选材料。 砷化镓： 对外部影响（例如光线中的光子），即使在高温情况下，响应快； 可用于热绝缘； 它的高压电性使得这种材料适合精密致动； 适合表面微加工； 是光学快门、斩波器和致动器的优良备选材料； 是微器件和微电路所需要的材料； 缺点是价格比硅等其它基底材料高的多。 石英： 即使在高温下，比硅和硅族化合物有更好的机械稳定性； 热延展率极小，所以是高温应用的理想材料； 具备精密微致动器需要的出色的谐振能力； 缺点是难以加工成所需要的形状。 聚合物： 主要用作钝性基底材料； 材料和生产工艺成本都低； 易于加工成所需要的形状； 易于合金化满足特殊需求； 对温度和湿度等环境因素敏感； 容易受化学品侵蚀； 寿命与其它聚合物一样，随时间退化。 其它硅组基底 二氧化硅（SiO2）： 很容易在硅基底表面生长或淀积在表面，如第八章所述； 有出色的热和电绝缘性； 可以作为很好的硅基底湿法腐蚀时的掩模材料。 碳化硅（SiC）： 即使在高温下，尺寸和化学性质稳定； 干法腐蚀时用铝作掩模，很容易图形化； 深层腐蚀时很出色的钝化材料。 氮化硅（Si3N4）： 在扩散工艺中能很好的阻挡水和钠； 在深层腐蚀和离子注入的时候是好的掩模材料； 是极好的光波导材料； 是好的高强度电绝缘保护材料。 多晶硅： 可以用做电阻、晶体管门、和薄膜晶体管； 是控制基底电性能的好材料； 封装材料 陶瓷（氧化铝，碳化硅）； 玻璃（耐热玻璃，石英）； 粘接剂（焊接合金、环氧树脂、硅橡胶）； 引线（金、银、铝、铜、钨）； 端板和外壳（塑料、铝、不锈钢）； 芯片保护装置（硅酮凝胶、硅油）。 制造工艺选择 制造工艺的优点和缺点的汇总： 体硅微制造 操作中相对直接。包括规范成文的加工工艺，主要是腐蚀工艺； 在三种制造技术中成本最低； 适合简单的几何形状，例如微压力传感器芯片； 主要缺点是深宽比低。（在MEMS产业中，深度方向的尺寸和平面方向的尺寸的比值称为深宽比。在体硅微制造中，标准硅片的厚度限制微结构的高度。） 工艺包含去除基底材料——导致材料用量增加。 表面微制造 需要在基底上面生成一些材料层； 需要为工艺过程中的淀积和腐蚀设计和加工复杂的掩模； 牺牲层的腐蚀必需在建立牺牲层后——是一定的浪费； 比体硅微加工技术的成本高，因为加工流程复杂； 主要优点包括：（1）相对体硅制造而言，不那么受硅片厚度的限制；（2）在建立各种牺牲层的时候材料选择自由度大；（3）适合复杂的几何形状，例如微型阀和梳状致动器。 LIGA和SLIGA及其它高深宽比工艺 是成本最高的微制造技术； LIGA和SLIGA工艺需要特殊的用于X光光刻的同步辐射设备。这种设备对大部分MEMS产业来说是不具备的； 这些工艺还需要对微注模技术和设备进行开发； 主要优点是：（1）在几何结构的深宽比上提供很大的适应性。利用LIGA工艺可以使深宽比达到200；（2）提供最大的微结构构造和形状灵活性；（3）事实上LIGA工艺对微结构的材料没有限制，包括金属；（4）三种制造技术中最适合大规模生产。 信号转换选择 材料和信号转换技术的概要 压敏电阻 在微传感器中硅压敏电阻是最常用到的，因为尺寸小，信号传输灵敏度高。压敏电阻可以在除了硅以外的其它基底上制造，例如砷化镓和聚合物等材料。使用压敏电阻的最大缺点是掺杂工艺需要严格控制以获得好的质量，另一个更严重的缺点是电阻率的温度依赖性，压敏电阻的灵敏度随着温度升高急剧变坏。在高温中使用时，信号处理中