MEMS课件第二章new.pptVIP

压力传感器 大多数压力传感器都是基于由被测压力引起的薄膜的机械变形和应力的原理。机械效应引起的薄膜的变形和应力可以通过几种转换方法将其转变成电信号输出。 压力传感器通常可分为两种：绝对压力传感 器和计量压力传感器。 绝对压力传感器在压力薄膜的一侧有一个真空腔。被测压力是以真空作为参考压力的“绝对”值。在计量型的压力传感器中不需要真空。 在计量型压力传感器中有两种不同的方式给薄膜施加压力。如图2.7a所示，压力从背面施加，这样对信号转换器没有干扰。信号转换器，如压阻器，一般植入在膜片的上表面。另外一种加压的方式，即前面加压，如图2.7b所示，只用在很特殊的环境下，因为加压的介质会对信号转换器相互干扰。由于空间的限制和复杂的连接问题，信号变换器很少放置在薄膜的背面。 传感元件通常由大小可以从几微米到几毫米见方的薄硅片组成。硅片的一面用微制造技术刻上一个空腔。空腔的顶部就形成了一个能在被测液体压力作用下变形的薄膜。硅薄膜的厚度通常为几个微米到几十个微米。由金属（称为表头）或陶瓷（耐热玻璃是通用材料）做成的底座支撑着这个硅结构。施加压力引起的薄膜形变可以通过不同的转换方法转变成电信号输出。传感元件的组合如图2.7所示，和信号转换元件一起被金属、陶瓷或塑料做成的坚固外壳封装起来。 图2.8示意了一个封装好的压力传感器。硅模的顶视图显示了四个植入硅片表面下的压电电阻(R1,R2,R3和R4)。它们将施加在薄膜上的压力转换为自身电阻的变化，然后通过惠斯通电桥将电阻的改变转换成电压信号输出。这些压电电阻本质上是最小的半导体压力计，它们可以通过外界机械应力的改变来改变自身电阻。如图2.8所示，电阻R1, R3在外力的作用下被拉长，这种延长增加了它们的电阻，而R2和R4有着相反的电阻改变。这些由施加被测压力而引起变化的电阻通过惠斯通电桥电路检测到，以动态偏差运算方式有 Vo和Vin-分别是待测电压和外加电压。 微型压力传感器中的信号转换可以有不同的形式，它取决于对传感器的灵敏度和精确度的要求。还有其它几种信号转换方式用于这类传感器。我们在下面介绍其中的两种： 1 利用电容改变来测量压力 2 振动梁作为信号转换装置 图2.9表示了一个利用电容改变来测量压力的微压力传感元件。两片用薄金属片做成的电极附着在上盖的底部和薄膜的顶部。由外界压力引起的薄膜的任何变形都会使两电极之间的间距变窄，从而改变它们之间的电容。这种方法的优点是与工作温度相对无关。两平行板电容器中的电容C与两板间的间隙d相关： 其中εr是绝缘介质的相对介电常数，ε0是真空介电常数，ε0＝8.85pF/m(pF =皮法=10-12F). 图2.12a表示了用振动梁作为信号转换装置的微压力传感器结构。一个薄的n型硅梁被安置得跨过在硅片表面的浅腔中。P型的硅电极被扩散在腔中n型硅梁的下面。p和n型硅层分别被掺杂了硼和磷。p型和n型硅都是电导体。在对薄膜施加压力以前，硅梁在施加的扩散电极交流信号的作用下实现共振。引入到薄膜（和硅片）的压力将被转到振动梁上。沿梁方向的应力可以使梁的固有振动频率发生改变。这种固有频率的改变可以与引入的压力相关，进而也可以和加载到硅薄膜的压力相关。 这种形式的传感器也是对温度不敏感的，并且有很好的线性输入/输出关系。这种传感器的缺点是制造成本较高。 压阻式微型压力传感器 压阻式压力传感器的基本原理是：将作用在薄膜的被测压力，通过薄膜的应力变化转换成电阻值的变化，再经相应的测量电路测出被测量值。 压阻式微型压力传感器利用半导体材料的压阻效应，即材料受到应力作用时，其电阻或电阻率会发生变化。 压阻式微型压力传感器基本结构 压阻式传感器基本公式 其中： R——电阻值 ?R——电阻值的变化 L——电阻长度 ?L——电阻长度的变化 ρ——电阻率 ? ρ——电阻率的变化 ν——泊松比 其中： π——材料的压阻系数 E ——弹性模量 ε——应变 一般金属材料的压阻系数很小，可以忽略。而半导体材料的压阻系数却很大 。 为应变引起的电阻率的相对变化，与应力σ成正比： 对于硅半导体材料，G一般在70～170之间 。 硅膜上的电阻在应力作用下相对变化为： 材料的灵敏度系数G 其中： πl , πt——沿电阻纵向和横向的压阻系数 σl , σt——沿电阻纵向和横向的应力 压敏电阻的分布形式 在硅膜的一定晶向、位置上扩散上四个压敏电阻，将它们连接成电桥，就构成最基本的压阻式压力传感器。 压阻式微型压力传感器的例子（1） IC Sensor公司的压阻式压力传感器 压阻式微型压力传感器的例子（2） 密西根大学研制的电容式微硅压力传感器