模拟电子技术精品教学（温州大学）2-3 半导体三极管及其基本应用-stu.pdfVIP

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2018-05-13 发布于浙江
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模拟电子技术精品教学（温州大学）2-3 半导体三极管及其基本应用-stu.pdf

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Chapter 2 Transistor and its Application 第二章半导体三极管及其基本应用模拟电子技术第二章 Company Logo 第二章教学内容 • §2.1 晶体管及其特性 • §2.2 晶体管基本应用电路及其分析方法 • §2.3 场效应管及其基本应用模拟电子技术第二章 Company Logo §2.3 场效应管及其基本应用 •概述 • 一、MOS场效应管MOSFET • 二、结型场效应管JFET •三、场效应管主要参数 • 四、场效应管基本应用电路 • 五、晶体管伏安特性Multisim仿真模拟电子技术第二章 Company Logo 与BJT相比 •利用电压产生的电场效应来控制电流 • 单极型晶体管：多子导电 •输入阻抗高 • 噪声低 • 易于制造，便于集成模拟电子技术第二章 Company Logo 场效应管的分类 N沟道增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 FET 绝缘栅型耗尽型场效应管 P沟道 JFET N沟道（耗尽型）结型 P沟道耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管必须外加偏置电压时，才有导电沟道模拟电子技术第二章 Company Logo 一、金属-氧化物-半导体（MOS ）场效应管 • 1、N沟道增强型MOSFET •2、N沟道耗尽型MOSFET •3、P沟道MOSFET •4、沟道长度调制效应 • 5、MOSFET的主要参数模拟电子技术第二章 Company Logo 1、N沟道增强型MOSFET • 结构与符号 • 工作原理 •伏安特性 •例模拟电子技术第二章 Company Logo (1)结构与符号 L ：沟道长度0.5~10um