异质结与光电子器件第四章.pptVIP

* 异质结与光电子器件 半导体光电子学 半导体光电子学的发展与前景 半导体中的光跃迁 半导体的光吸收与光电探测 半导体发光与激光器件 一.半导体光电子学概述与发展前景 1.光电子学中半导体的优越性与重要性 a.半导体中很少的成分(组分,掺杂)变化或很小的扰动(光信号……)都可使其光电性质发生极大的变化: 半导体中存在晶格场与电子的强大相互作用. b.半导体有极高的光吸收系数(10 2～106cm-1)--极高的亮度与光功率密度，和极高的光增益系数(50～100cm-1)(而固,气laser物质的G1cm-1), 因为,半导体允许带中电子态密度极高.量子跃迁几率很大. c.半导体光电子器件(探测器,激光器……)有很高的量子效率和非常好的高频响应. 允许带内各能级间或子带间的电子态间存在强大相互作用(共有化运动),弛豫时间(寿命)10-12sec.因此,一旦某能级电子被激发跃迁走而留下空穴将被立即填充. d.能量转换效率高 探测:光→电子跃迁→载流子扩散,传导→电流接收 半导体光电子学 Page 1 of 26 异质结与光电子器件 发光:电流→载流子传导,扩散→复合→光 2.半