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電鍍 (Plating) 講師:余家良(Jackson) PSC 電漿預處理: 利用 Plasma將O2激發成自由基狀(O.) O. 撞擊 有機物質 CO2+H2O 目的: 1.清除欲電鍍位置(Al Pad)的殘餘光阻,避免導電不良 2.使光阻成親水性,避免Bubble附著 No PSC 顯影不良 電鍍原理 M+n(q) +e- M(s) (金離屬子) (電子) (金屬) Na3Au(SO3)2 3Na++Au(SO3)23- Au(SO3)23- Au++2(SO3)2- 3Au+ 2Au+Au3+ 電鍍液組成 Comparison with EEJA Enthone parameter pH Low: Na3Au(SO3)2為弱鹼性,在偏酸的環境下易分解(金析出) High Au還原電位變高,使晶核生成速率晶核成長速率(結晶細) Plating Recipe 1.電流(mA) Bump height .Uniformity.Grain size 2.時間(h/min/sec) Bump height 3.流量(L/min) Uniformity.Bubble issue Current Current density:0.5A/dm2 Deposit rate:0.31um/min Current calculate: 時間:T.電流:A.Bump Height:C A*(T*0.31/C) = real current(0.5ASD) Time: Bump Height/0.31= Plating Time Current Density 現場工作表單 生產指示卡 Process Exchange Record 電鍍槽工作記錄單 pH比重量測量記錄表 電鍍槽現場加藥記錄單 * Bubble issue(midget Bump) SO42- 45~55 55~65 Temperature(0C) 40 5 Tl(ppm) 9.2~9.8 7.6~8.0 pH 8~10 8~10 Au(g/L) Enthone309 EEJA(Au140) 電鍍液 High pH Small grain size High temperature Can’t Ac filter treatment 缺點 Grain size X800 Low temperature Ac filter treatment Low pH Big grain size 優點 Enthone309 EEJA(Au140) 電鍍液 Lifetime Bright appearance Hard deposits Temperature(0C) Hv Bright appearance Tl(ppm) Bright appearance Hv Gold precipitation pH Drag-out(cost) Bright appearance Hard deposits Au(g/L) High Low Index Temperature TL Concentration Bumps height Uniformity(18?2?m/wafer) Roughness(3um/bump) Hardness(50 ?15Hv:10g) Shear strength(5g/mil2) Bumps size(target ? 4?m) Quality Feature of Gold Bump Incoming wafer Sputter conductivity Photo Edge rinse Plating Current density Flow rate Electric field Etching Uniformity of etching rate The Factors Influence Bump Height Uniformity Plating Grain size Chemical composition Additive content(organic,Tl) Solution temperature PH value Current density Flow rate Etching The Facto
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