杂质半导体载流子(ppt24).pptVIP

4 杂质半导体的载流子浓度 1、杂质浓度上的电子和空穴 半导体杂质能级被电子占据的几率函数与费米分布函数不同：因为杂质能级和能带中的能级是有区别的，在能带中的能级可以容纳自旋下凡的两个电子；而施主能级只能或者被一个任意自旋方向的电子占据，或者不接受电子（空的）这两种情况中的一种，即施主能级不允许同时被自旋方向相反的两个电子所占据。所以不能用费米分布函数表示电子占据杂质能级的几率。 * 可以证明： 电子占据施主能级 的概率为： 空穴占据受主能级 的概率为： * 2、杂质半导体中的载流子浓度 ：施主浓度 ：受主浓度 二者就是杂质的量子态密度 则：施主杂质上未电离化的电子浓度 受主杂质上未电离化的空穴浓度 * 施主杂质上电离化的电子浓度 受主杂质上电离化的空穴浓度 * 分析可知：当 》1时， ， 说明当费米能级远在 之下时，可以认为施主杂质几乎全部电离。反之， 远在 之上时，施主杂质基本上没有电离。 时， ，说明施主杂质有1／3电离，还有2／3没有电离。 同理可以分析受主杂质。 * 3、n型半导体的载流子浓度 假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的：n0=p0+nD+ 左边为单位体积中的负电荷数（实际上为导带中的电子浓度）； 右边是单位体积中的正电荷数（实际上是价带中的空穴浓度与施主浓度之和） 由于: * 得到: 上式中除 之外，其余各量为已知。在一定温度下可求出 （很复杂）， 下图定性分析电子浓度与温度的关系： * * （1）低温弱电离区 温度低时，大部分施主杂质能级仍为电子所占据，只有很少量施主杂质电离，本征激发可以忽略。 因此： ＝0、 * 费米能级: 上式说明:在 时,费米能级位于导带底和价带顶中线处 * 式中： 为施主杂质电离能。 由于 ，因此：载流子浓度 随温度升高， 就指数上升 * （2）中间电离区 本征激发仍然可以忽略，随着温度升高， 已经足够大。 当温度升高使 时， ，施主杂质有1／3电离(即 ) * * （3）强电离区 * * （4）过渡区 半导体处于饱和区和完全本征激发之间 * * * *