纳米材料导论 第四章.ppt

4.1 纳米晶金属的电导 纳米金属丝电导的测量方法主要包括： 研究表明，金属纳米丝电导受很多外界因素的影响，例如： 当在电接触处形成直径为几个纳米的金属丝能稳定相当的时间时，就可以测定该纳米丝的 I-V 曲线。许多研究者发现，室温下金在0.1～1V 的电压范围内时，I-V 曲线具有非线性分量。图4-15 为具有不同量子通道数的金纳米丝的曲线，曲线上数字即为量子通道数。一个单原子可有五个通道，但仅部分开通。由于一个通道最大的电导为 G0 ，可粗略地将 n 看成 G0 的系数，即 n 越小，电导越小，n 越大，电导越大。由图4-15 可知，低 n 值的曲线（n＝1、2、3等）呈现出非常明显的非线性分量。将图4-15放大，可发现 n＝6 时也具有明显的非线性分量，故非线性分量与纳米接触电导值无关。此时电流具有立方项，即: I=g0V+g3V3 ，g0 、g3分别为电流的线性和非线性系数，其中 g30，即电压越高，非线性越显著。可以认为杂质元素或样品被污染导致了 I-V 曲线具有非线性分量，在实际条件下要维持样品不受污染几乎是不可能的。因此，I-V 曲线具有 非线性分量是不可避免的。 4.1.4 电导波动及巨电导振荡 由图4-20 可知，在脉冲激光照射下，纳米金丝出现了巨电导振荡或巨电导效应。图中电导由初始值上升至最高值再回到初始值的时间为电导的振荡周期，激光熄灭后电导从最高值衰减到初始值的时间称做驰豫时间。驰豫时间越短，电导对脉冲激光的响应越快，振幅越大，巨电导效应越明显。纳米金丝巨电导的振幅和驰豫时间取决于初始电导和激光的脉冲时间及输出的能量。较低的初始电导能产生较大的振幅，初始电导大于 200G0 ，则电导振幅很小。能量适中持续时间约为2ms的近线性脉冲能产生最大的电导振幅，同时驰豫时间亦短，如图4-20（c）所示，电导变化可达 80G0 ，驰豫时间与激光脉冲时间同步。持续时间大于20ms的脉冲不仅不能使振幅增大，反而会使驰豫时间增长。因此，为了实现巨电导效应，选择适当的 脉冲参数非常重要。 产生巨电导振荡的主要原因是金丝窄收缩处在激光照射时受热膨胀，直径增大，如图4-19中虚线所示的直径。脉冲激光产生的瞬间高温（10KT）可使长度为1mm的光照区的长度在1～10ns内增加100nm。由于在长度方向上的热膨胀受到约束，故热应力使金丝的窄收缩区受到压缩而使直径增大，从而导致电导的急剧升高。窄收缩区直径变化的时间与受光照的面积相关，如果光照区的长度为1mm，直径驰豫时间为ms级；长度为1?m，驰豫时间可降至?s级。因此，调节窄收缩区的长度和直径可改变驰豫时间从而控制电导振荡的固有频率和初始电导值。纳米尺寸金属材料的这种光-电耦合现象可用于设计和制造能在室温下工作的由巨电导效应控制的纳米光-电晶体管。 4.2 单电子效应及其应用 单电子效应的主要研究对象是超小隧道结。隧道结是由两个金属电极及夹在其间的绝缘介质构成。与通常的电容相比，隧道结中的绝缘介质足够的薄，同时起着势垒的作用。由于电子具有量子属性，所以它能以一定的概率隧穿通过势垒，这一现象称作量子隧穿。若C为隧道结的电容，那么一个电子在隧穿前后引起隧道结的静电能的变化与一个电子的库仑能大体相当，即 ，如果隧道结的面积为 ， 绝缘层厚度为1nm，那么将 拆算成温度，大约为100K。量子遂穿的概率与势阱的深度、壁厚和形状有关。因此，如果对纳米尺度材料的表面进行修饰，能通过改变势阱的深度、壁厚、形状来改变其对电子的约束。量子遂穿可以将临近的纳米尺度材料直接耦合在一起，形成无导线的连接。适当地改变材料的尺寸、界面 间距以及外界的电场，可以直接调制材料之间的耦合。 图4-25中台阶形I-U曲线产生的条件是 R2C2 R1C1，R1 和 R2 分别为 J1 和 J2 的电阻，即双结不对称。台阶的高度为 ， 为单个电子隧穿击射垒所需的平均时间。在 J1 和 J2 串联组成的库仑岛上加一个栅电极，在控制栅极上外加 Ue的电压，通过电容C的静电耦合可以连续改变库仑 岛的静电势，亦可以周期性的满足发生隧穿事件的 条件。 如图4-31 所示，在典型的 STM 测量分子结电导的实验中，通常选择两端都有能够与金属形成化学键的基团(如-SH，-CN，-NH2等)的分子作为样品。将包含样品分子的溶液滴在金属衬底表面，并使 STM 针尖深入溶液逐渐靠近金属衬底，然后在针尖和衬底间加一定的偏压，同时使针尖缓慢