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RB VCC C1 C2 RE ui uo RB1 RC RL CB Vo RE Vi RC RL rbe βib b c e iB iE 静态： 动态： h参数等效电路： * 耦合方式：阻容耦合；直接耦合；变压器耦合；光电耦合。 耦合：即信号的传送方式。 （三）多级放大器及其耦合方式 1、阻容耦合： (1) 由于电容的隔直作用，各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算。 (2) 不能传输直流及低频信号。 (3) 后一级的输入电阻是前一级的交流负载电阻。 (4) 总电压放大倍数=各级放大倍数的乘积。 (5) 总输入电阻 ri 即为第一级的输入电阻ri1 。 (6) 总输出电阻即为最后一级的输出电阻。 * 2、直接耦合: 直接耦合可放大微弱的直流信号或变化缓慢的信号 零点漂移 多级放大器的静态工作点、电压放大倍数、 输入电阻、输出电阻等的计算比较复杂 直流电平互相影响 问题： ——差分放大器 温度漂移（温漂） * （四） 放大电路的频率响应 1、共射电路的耦合电容是引起低频响应的主要原因, CE影响较大; 三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因 仅考虑C1的影响： 仅考虑C2的影响： 仅考虑CE的影响： f f -135° -180° fL 0.1fL 10fL 3dB 0 -90° -225° -270° fL 0.1fL 10fH 2.共基放大电路没有密勒电容，上限截止频率很高。 3.共集放大电路密勒电容小，上限截止频率也较高。 * 《模拟电子技术》 期末总复习 模拟电子技术 * 1 绪论 一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号 二、放大电路性能指标： 1、电压放大倍数Au 电压增益=20lg|Au| (dB) 2、输入电阻ri 3、输出电阻ro 4、通频带 5、失真： 失真 线性失真 非线性失真： 幅度失真: 相位失真: * 半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性 一、半导体与本征半导体： 半导体的共价键结构： 惯性核 价电子 3 二极管及其电路 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 * 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 载流子 自由电子 空穴 本征激发 复合 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 动态平衡 * 二、 杂质半导体 P 型半导体（空穴导电型半导体） ：掺3价元素使用空穴浓度大大增加的杂质。 N 型半导体（电子导电型半导体） ：掺5价元素使用自由电子浓度大大增加的杂质。 施主原子（离子） 多数载流子（多子）：自由电子， 少数载流子（少子）：空穴。 受主原子（离子） 多子：空穴，少子：自由电子。 * 1、 PN结的形成过程： 三、 PN结与半导体二极管 扩散 接触 形成空间电荷区 内电场 漂移 动态平衡 PN结 空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、 PN结 2、PN 结的最主要的特性——单向导电性： PN 结加正向电压导通，PN 结加反向电压截止 * 3、PN结的伏安特性： 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V VBR VD ID IR= -IS 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V 反向特性 正向特性 击穿 特性 反向击穿(电击穿) 雪崩击穿和齐纳击穿 正向特性 反向特性 击穿特性 稳压二极管利用击穿特性 4、 PN结的电容效应： 势垒电容CB （PN结反偏） 和扩散电容CD （PN结正偏） * P N 二极管的电路符号： 5、半导体二极管： 主要参数:最大整流电流 IFM 、反向峰值电压URM 、反向直流电流 IR 等 分为：点接触型、面接触型、平面型。 特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、 光电二极管、发光二极管、激光二极管等 特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应 * 四、 二极管的基本电路及其分析方法 1、图解分析法： R D VDD iD + vD - iD vD ID VD Q VDD VDD /R 2、简化模型分析法： 简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、 折线模型、小信号模型 应用简化模型分析： * （一） BJT的结构与工作原理: b e c N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B c e PNP型 b c e b c e 发射结 集电结 一、 BJT的结构、原理与特性 4 双极型三极管及放大电路基础 两种类型：NPN型和PNP型。 内部结构： 发射区：掺杂浓度较高 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的外部条件是