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内容 半导体器件 放大电路的基本原理和分析方法 集成运算放大器 负反馈 功率放大电路 集成运算放大器的应用 波形发生电路 直流稳压电源 第一章 半导体器件 1.重点掌握： ⑴PN结（二极管）单向导电的原理，伏安特性曲线，二极管的主要应用，选用方法。 ⑵BJT（晶体三极管）的原理。输入特性和输出特性，截止、放大、饱和三种工作状态，每种工作状态的条件及相应的等效电路。三极管的选用方法。 PN结的形成 PN结的单向导电性 半导体二极管 二极管的伏安特性 1.正向特性（u 0的区域） 1）当u外UON时,E外E内，多子扩散无法进行，i?0，二极管截止，内阻非常大。 2）当u外UON时，E内下降，iD指数上升,内阻很小，在正常工作范围内UD几乎恒定。 硅管：0.6~0.8V， 锗管：0.1~0.3V。 二、在下图所示的二极管电路中，已知输入电压，设二极管为理想器件，试画出输出电压的波形。 三、BJT的三个工作区域: 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 条件：射结、集结均反偏。BJT无放大作用。此时IB≈0，IC ≈ 0。UCE=VCC-ICRC=VCC，CE间承受的电压较高，管中流过的电流很小，即C-E间阻抗很大，如同断开的开关。 2.放大区——iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。 条件：射结正偏，集电结反偏。特点：IB0，IC=?IB，