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* 8.3在题8.3图所示电路中，已知场效应管的VP=－5V；问在下列三种情况下，管子分别工作在哪个状态？ （1）vGS=－8V，vDS=4V （2）vGS=－3V，vDS=4V （3）vGS=－3V，vDS=1V 解： (1) 因为 ， 所以管子工作在截止区。 NJFET: (2)因为 ，且 ， 所以管子工作在恒流区。 (3) 因为 ，且 ， 所以管子工作在可变电阻区。 8.4测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及其开启电压如题8.4表所示。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。 因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。 解： ①T1管：VT =4V0V，所以T1为N沟道增强型MOS管， 且 因此管子处于恒流区。 N沟道增强型MOS管 ②T2管：VT =－4V0V，所以T2为P沟道增强型MOS管， ，因此管子处于截止区； P沟道增强型MOS管 ③T3管：VT =－4V0V，所以T3为P沟道增强型MOS管， ，且 时，因此管子处于可变电阻区； 恒流区 截止区 可变电阻区 8.10一个MOSFET的转移特性如题8．10图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问：（1）该FET是耗尽型还是增强型？（2）是N沟道还是P沟道FET？（3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT？其值等于多少？ 解： P沟道增强型 MOSFET，其开启电压VT＝－4 V。 N沟道增强型MOS N沟道耗尽型MOS P沟道增强型MOS P沟道耗尽型MOS N沟道FET P沟道FET 8.13电路如题8.13图所示。设FET（T1）的参数为gm＝0.8ms，rd＝200kΩ；三极管（T2）的参数β＝40，rbe＝1kΩ。 （1）画出放大电路的小信号等效电路。 （2）计算放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。 解:（1）由于 rd Rd，故rd可忽略，画出小信号等效电路： （2）计算放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。 解（2） 电阻Rd的电流： 由b点的KCL定律： 即 可得 8.16电路如题8.16图(a)所示，已知Rg1=100kΩ，Rg2=300kΩ，Rg3=2MΩ，Rd=10kΩ，Rs1=10kΩ，Rs2=2kΩ，VDD=20V，gm=1ms。 (1)画出电路的小信号等效电路。 (2)求电压增益Av。 (3)求放大器的输入电阻Ri及输出电阻Ro。 (a)放大电路 (b)小信号等效电路 解：（1）小信号等效电路如图(b)所示。 （2） （3） 8.17源极输出器电路如题8.17图(a)所示，已知FET工作点上的互导gm=0.9s，其它参数如图所示。 （1）画出电路的小信号等效电路。 （2）求电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro。 (a)放大电路 (b)小信号等效电路 解：(1) 小信号等效电路如图(b)所示。 (2) *
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