电子技术第一章_半导体器件.pptVIP

4. 温度对三极管参数的影响 (1) 温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管的温度稳定性优于锗管。 (3) 温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 (2) 温度每升高 1?C，UBE将减小(2～2.5)mV，即三极管的UBE具有负温度系数。 1.2.5 光电三极管和光电耦合器件 将光信号转换为电流信号。 光电三极管是用入射光强度E来控制集电极电流 符号 C E 750 E =500Lx UCE/V IC/mA 0 2 4 1 2 10 3 8 6 4 5 1000 0 250 1. 光电三极管 E C B 输入输出之间没有直接的电连接，抗干扰能力强常用作输入输出接口电路 2. 光电耦合器件 输入 输出 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 场效应管分类: 绝缘栅型场效应管 MOS管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 场效应管 N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 增强型NMOS管 耗尽型NMOS管 增强型PMOS管 耗尽型PMOS管 1.3 绝缘栅场效应管（IGFET) 1. 结构 G栅极 D漏极 S源极 B 衬极 SiO2 P型硅衬底 耗尽层 电路符号 D G S N+ N+ 栅极和其它电极之间是绝缘的，故称绝缘栅场效应管。 MOS Metal oxide semiconductor 1.3.1 N沟道增强型(NMOS)场效应管 2. 工作原理 (1) 栅源电压UGS对导电沟道的控制作用(UDS=0V) 当UGS≥UGS(th)时，出现N型导电沟道 UGS(th)——开启电压 (2) 漏源电压UDS对导电沟道的影响( UGS≥UGS(th)) 预夹断:UGD=UGS?UDS=UGS(th) 随着UDS的增加，夹断区不断向源区扩展；夹断后，ID=UDS/RDS,表现为恒流特性 ID N型沟道 耗尽层 UDD RD UGS 由上述讨论可知: UGS愈大，导电沟道愈厚，在电压UDS作用下，电流ID愈大。即通过改变电压UGS的大小可以改变漏极电流ID的大小。 当栅源电压UGS增加到一定程度后，才有导电沟道形成的场效应管称为增强型场效应管。 场效应管只有一种载流子参与导电，故称为单极型晶体管。普通晶体管中空穴和电子两种载流子参与导电称之为双极型晶体管。 0 1 2 3 4 UGS/V 2 4 6 ID/mA 3. 特性曲线 输出特性曲线:ID=f (UDS) UGS=常数 转移特性曲线:ID=f (UGS) UDS=常数 转移特性近似数学表达式：ID=K(UGS?UGS(th))2 UGS=5V 6V 4V 3V 2V UDS=10V 恒流区 UGS(th) UDS/V 0 5 10 15 1 2 3 4 ID/mA 可变电阻区 截止区 UDS=UGS?UGS(th) G D S B P型硅衬底 N+ N+ (1) 结构特点：在SiO2层中预埋正离子形成原始导电沟道 UGS (2) UGS可正可负：UGS0V,导电沟道变宽，UGS0V,导电沟道变窄，使导电沟道消失的电压为夹断电压,UGS(off)0 (3)符号： G D S B 1.3.2 N沟道耗尽型场效应管 （4）特性曲线（ID参考方向为流入漏极） 0 1 2 3 4 UGS/V -3 -1 1 ID/mA UGS=0V 1V -1V -2V -3V UDS=10V 恒流区 UGS(off) UDS/V 0 5 10 15 1 2 3 4 ID/mA 可变电阻区 截止区 UDS=UGS?UGS(off) -2 IDSS ② 当 UGS 0 时，沟道变厚，导电能力增强，ID增大。 ① 耗尽型NMOS管在制造时已预先在二氧化硅绝缘层掺 入了大量的金属钠或钾的正离子。在 UGS=0 时，这些 正离子已使栅极下P型半导体表面形成N型导电沟道。 当D、S加上正向电压后可产生漏极电流ID= IDSS，称为饱和漏极电流 。 ③ 当 UGS＜0 时，沟道变薄，导电能力减弱，ID减小。 当 UGS减小到ID=0时，沟道消失，此时的 UGS 称为 夹断电压，用UGS（off)表示 。 ④ 耗尽型NMOS管的UGS 可正可负，而增强型NMOS管的 UGS只能是正值 。 （1) 结构与符号 G栅极 D漏极 S源极 B 衬极 SiO2 N型硅衬底 耗尽层 P+ P+ 电路符号 D G S B 1.3.3 P沟道场效