二极管(第二讲)2011.pptVIP

1. 二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管 二极管按结构分 点接触型 面接触型 平面型 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路 PN结面积大，用 于工频大电流整流电路 往往用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小， 用于高频整流和开关电路中。 1.1.2 二极管的基本特性 2. 二极管的伏安特性 是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线 I U 1.当加正向电压时 PN结电流方程为： 2.当加反向电压时 I 随U↑，呈指数规律↑ I = - Is 基本不变 2. 二极管的伏安特性(续) 1)正向起始部分存在一个死区或门坎，称为阈值电压Uth 。 硅：Uth=0.5-0.6V; 锗：Uth=0.1-0.2V 导通压降UD(ON)。 硅:UD(ON) =0.6-0.8V; 锗: UD(ON)=0.2-0.3V 2)加反向电压时，反向电流很小 即Is硅(nA)Is锗(?A) 硅管比锗管稳定 3)当反压增大UB时再增加，反向激增，发生反向击穿， UBR称为反向击穿电压。 实测伏安特性 ① ② ③ 3. 二极管的开关特性 利用二极管的单向导电性，可将二极管看成为一电子开关。二极管在正向导通和反向截止两种不同状态之间的转换过程就是二极管的开关特性。 关断时间(反向恢复时间) tre= ts + tt 其中ts 称为存储时间，tt称为渡越时间。反向恢复过程实际上是存储电荷的消失过程。 一般开关二极管的反向恢复时间tre在纳秒 (10-9.s)数量级。 (2) 开通时间 二极管从反向截止转为正向导通所需时间，相比tre可忽略不计。 4.温度对二极管伏安特性的影响 二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。一般在室温附近，温度每升高1℃，其正向压降减小2～2.5mV；温度每升高10℃，反向电流大约增大1倍左右。 1.1.3 二极管的电路模型及主要参数 1. 电路模型 为计算方便，在特定条件下，常用一些简化模型来近似代替实际的二极管。 二极管的直流模型如图所示 二极管的小信号等效电路模型如图所示 ? 晶体二极管的电阻 非线性电阻 直流电阻R (也称静态电阻） 交流电阻r （又称动态电阻或微变电阻） (1) 直流电阻及求解方法 定义 二极管两端的直流电压UD与电流ID之比 ID I U UD D ? 晶体二极管的电阻 直流电阻的求解方法： 借助于静态工作点来求 1. 首先确定电路的静态工作点Q： 借助于图解法来求 ID ED D RL UD I U 由电路可列出方程： UD=ED-IDRL 直流负载线 UD=0 ID=ED/RL ID=0 UD=ED ED/RL ED Q ID UD 2. 直流负载线与伏安 特性曲线的交点 由Q得ID和UD，从而求出直流电阻R (2) 交流电阻r RL ED D u 或 实质是特性曲线静态工作点处的斜率 交流电导： g=dI/du≈ID/UT 交流电阻：r=1/g≈UT/ID 室温下：UT≈26mv 交流电阻：rd≈26mv/ID(mA) 晶体二极管的正向交流电阻可由PN结电流方程求出： 由此可得： 2. 二极管的主要参数 1). 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2). 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是UBR的一半。 3) 反向电流 IR 指二极管加最高反向工作电压UR时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 4) 最高工作频率fM fM的值主要决定于PN结结电容的大小，结电容愈大，则二极管的最高工作频率fM愈低。而工作频率超过fM时，二极管的单向导电性将得不到很好的体现。 5) 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB 和扩散电容CD。 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) (理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ) RL u