电力半导体器件原理与设计（下）1.pptVIP

2、GTO的主要参数 1）关断时间toff ts：从门极负信号开始到阳极电流下降至导通电流的 90％所需的时间。即关断区的收缩所对应的时间。 tf：定义为阳极电流从90％降到10％所需的时间。在 这段时间里，剩余载流子继续从门极排除，α1和α2继续减小，阳极电流急剧下降。 tT：剩余载流子复合时间，即阳极电流从10％到完全关断时所需的时间。 ★关于储存时间的讨论 GTO的储存时间ts所对应的瞬态关断包含两个方面的意义：一是导通区从阴极边沿开始收缩到阴极中心一个扩散长度Ln所需要的时间；二 是 从导通态过渡到开始小于1的时间。由于后者一般前者短得多，因此粗略地可以用导通区从S/2收缩到Ln所需要的时间为存储时间。 若ts趋于无穷大，则发生关断失效。影响xb移动的因素有：一方面-IG使导通区不断向阴极单元中心收缩；另一方面在导通区与关断区 之间存在电子浓度梯度，该梯度产生的电子扩散电流的方向使小单元TWp△xb内的少子－空穴增加，从而使导通区的收缩减慢。尤其当βoff过大，即负IG抽走空穴的作用抵消不掉导通区扩散流的作用，边界xb移动速度将趋于零而使关断失效。 2）最大可关断电流IATO IGM为GTO关断时门极负 电流的最大值（绝对值）， 其大小受J3结雪崩击穿电压VGC的限制。 最大可关断电流IA(max)即取决于二维横向参数Rb, Vgc，又取决于一维纵向的α1和α2。 减小阴极单元条宽S，并将GTO的阴极图形设计成高度叉指状是GTO设计中与普通晶闸管的设计中重要的区别之一。 ★影响最大可关断电流IATO的因素的讨论 ☆结温对IATO的影响 ☆Rpb对IATO的影响 ☆α1和α2对IATO的影响 ☆图形结构和工艺对IATO的影响 3）关断增益βoff 4）擎住电流IL IL是指门极加触发信号后，阳极导通时的临界电流。由于GTO采用梳状阴极结构，且又是临界导通，因此GTO的IL要比普通晶闸管的IL大得多，实际应用中要特别注意。 5）阳极平均电流Icp 普通晶闸管的额定电流即是平均电流，对于GTO来说，一般给出IATO，其平均电流可根据脉冲占空比来计算。若阳极电流脉冲占空比为50％,则 3、GTO再导通机理分析 GTO在关断瞬间产生局部过热点 由于各个GTO单元参数分布不能完全一致，使得各个GTO单元不能同时关断，这样就可能使关断瞬态功耗集中在个别关断较晚得GTO单元上，从而形成局部过流，使GTO产生局部过热点。而局部过热点正是引发GTO再导通得根本原因。 3、GTO再导通机理分析 2)温度对GTO单元电压容量得影响 因为各个GTO的分散性，使得靠近热点并有较大α1和α2的GTO单元首先由断态转为通态，导致GTO再次导通。 4、GTO的设计要点和关键工艺 1)必须严格控制 的临界导通条件 2)减小α1的的主要措施 ★采用阳极短路发射极结构，以减小P1发射区的发射面积； ★阳极采用低浓度发射区 ★适当加厚基区宽度 ★用电子辐照，掺金或快速冷却等方法来降低长基区的 少子寿命。 4、GTO的设计要点和关键工艺 3)调整阴极结构 减小阴极条宽，增加门－阴极周届长度以减小横向效应，有效地控制器件的导通和关断。 4)采用窄阴极结构 采用窄阴极结构，一方面增加了初始开通线长度，降低了初始导通瞬时电流密度，提高了di/dt耐量，一方面又减小了横向效应，减小了阻断区的扩展时间，从而减少了开关失效几率，提高了GTO运行的可靠性。 * 2008 年10月24日 关艳霞 办公室：信息楼130室 （下） 第七章 晶闸管派生器件 快速晶闸管 双向晶闸管 逆导晶闸管 门极可关断晶闸管（GTO) 内容 7.1 快速晶闸管 快速晶闸管是适用于高频场合的结构最简单的一种高频晶闸管。其基本结构与普通晶闸管相同，为（P1、N1、P2、N2）三端结构。它同样是利用门极触发电流使处于断态的晶闸管开通，而开通之后靠内部的电流再生正反馈作用维持开通，利用加反向电压而关断。因此，开关特性相似，开关过程相同。快速晶闸管也是一种逆阻型器件。 为了满足高频应用的要求，其开关特性比普通晶闸管作了明显改进，分别讨论于下。 1、门极－阴极图形设计 在快速晶闸管中，除了普遍采用放大门极结构以外，还要把门极－阴极图形进行合理设计，采用交叉指状和渐开线结构等，使门极对阴极的初始线作用长度增加。 2、寿命控制 关断特性好（关断时间短、反向恢复电荷少等）是快速晶闸管的特点之一。改善关断特性的方法是进行基区少子寿命控制，以降低N1基区的少子寿命。掺金和电子辐照是常用来降低少子寿命的工艺。 3、阴极短路点的合