模拟电子技术_第二章_半导体二极管极其基本电路.ppt

(1-*) 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 2.3.3 主要参数 (1-*) 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、箝位等等。下面介绍两个交流参数。 (1-*) 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 (1-*) 5. 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N (1-*) 由于CB和CD一般都很小（结面积小的为1pF左右，结面积大的为几十至几百pF），对于低频信号呈现出较大的容抗，其作用可忽略不计，因而只有在信号的频率较高时才考虑结电容的作用。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd (1-*) 半导体二极管图片 (1-*) (1-*) 2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4 二极管基本电路极其分析方法 1. 理想模型 iD vD 0 iD vD=0V 2. 恒压降模型 iD vD 0 iD vD =0.7V 3. 折线模型 iD vD 0 iD vD rD 误差最大 应用最普遍 误差最小 (1-*) 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） iD vD 0 ΔiD ΔvD rd (1-*) 2.4.2 应用举例 例1. 二极管的静态工作情况分析 理想模型 （1） R=10k? ，VDD=10V 时 恒压模型（硅二极管典型值） 习惯画法 (1-*) 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （2）VDD=1V 时 （自看） rD (1-*) 2. 限幅电路 例2 求（1）vI=0V ,4V,6V时输出电压的值；（2） 当 时，画出vO的波形。 解: (1)考虑输入电压不高，故采用折线模型来分析 3V (1-*) (1-*) RL vi vo vi vo t t 例3：二极管半波整流 (1-*) vo vi vi /V vo t t 电路及输入电压的波形如图所示，画出输出电压的波性。 解：当vi+10V时，VD1正偏短路，VD2反偏开路，vo=+10V 当vi-10V时，VD1反偏开路，VD2正偏短路，vo=-10V 当-10Vvi+10V时，VD1、VD2均反偏开路，vo=vi 例4 (1-*) 3. 开关电路 在数字电路里已经讲过，不再细说 4. 低压稳压电路（箝位） 利用二极管正向压降基本恒定的特点，在输入信号较低时，可以稳定输出电压。几只二极管串联可以获得3?4V的输出电压。 总结： 二极管常用功能：整流、限幅、箝位、开关 (1-*) 2.5.1 稳压二极管（齐纳二极管） V I IZ IZmax ?VZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 VZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 §2.5 特殊二极管 + (1-*) （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 (1-*) 求RL分别等于30K?、 4K?、 3K?时，流过稳压管的电流IZ IR Vo IZ DZ R IL VI RL 解：1. 当RL=30K 时 2. 当RL=4K 时 例 稳压二极管的应用举例 (1-*) 3. 当RL=3K 时 此时，稳压管工作在临界击穿状态，当RL继续减小时，稳压管就会离开击穿区，不能实现稳压功能。 为了保