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存储系统 本章内容 主存和CPU的联系 现代计算机的主存由半导体集成电路构成 上图中红色虚线中的部件构成存储芯片（内存条） 而MDR、MAR是需要经常与处理器交互的寄存器，因此制作在CPU芯片内 存储器的内部数据通过I/O电路以及输入/输出的三态门与数据总线相连。 由片选信号/CS和写允许信号/WE一起来控制三态门。 当/CS=0，/WE=0，由数据总线写入到存储器。 当/CS=0，/WE=1，由存储器读出数据到数据总线上。 注意：读操作与写操作是分时进行的，读时不写，写时不读， 因此输入三态门与输出三态门是互锁的，因而数据总线上的信息 不至于造成混乱。 主存储器组成与封装 存储器的封装 Intel 2114引脚及逻辑符号 (a) 引脚；(b) 逻辑符号 存储器的封装 主存储器组成与封装 主存储器位扩展 1K=210=1024 2K=211 8K=213 内存条就是多个存储芯片的扩展 位方向 由于目前生产的存储器，单片的容量很有限，它在字数或字长方面与实 际存储器的要求都有很大差距，需要在字向和位向进行扩充才能满足需 要。所以，现在的内存总是由几片存储芯片组成。 1) 位扩展：用多个存储器芯片对字长进行扩充。 字线 × 位线 两个 16K × 4 扩充到 16K × 8 地址线 14条（A0-A13） 两A0并连，两A1并连… 数据线 8条（D0-D7） 片选信号并连，接地 读写信号并连 主存储器位扩展 起始地址0000： 00 0000 0000 0000 …… 终止地址3FFF：11 1111 1111 1111 位扩展后：两片16K×4芯片成一16K×8芯片 主存储器位扩展 主存储器字扩展 1K=210=1024 2K=211 8K=213 内存条就是多个存储芯片的扩展 字方向 2) 字扩展: 增加存储器中字的数量。 字线 × 位线 四片 16K × 8 扩充到 64K × 8 地址线 16条（A0-A15） 四A0并连，四A1并连… 数据线 8条（D0-D7） 四D0并连，四D1并连… 读写信号并连 片选信号由高位地址A14A15译码 产生四个片选信号 主存储器字扩展 A15 A14 A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1 0 0 起始地址: 0000…0 0000 … 终止地址: 0011…1 3FFF 0 1 起始地址: 0100…0 4000 … 终止地址: 0111…1 7FFF 1 0 起始地址: 1000…0 8000 … 终止地址: 1011…1 BFFF 1 1 起始地址: 1100…0 C000 … 终止地址: 1111…1 FFFF 字扩展后：四片16K×8芯片成一64K×8芯片 主存储器字扩展 主存储器位字扩展 1K=210=1024 2K=211 8K=213 内存条就是多个存储芯片的扩展 分析问题找规律： （位扩展并联，字扩展串联） 1）字、位同时扩展时：首先是位扩展，后是字扩展。 2）片选信号/CS的连接：并联（位扩展），分开（字扩展） 3）地址线的连接：片内地址线，所有的A0连在一起， 所有的A1连在一起…所有的An连在一起。 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×4 1K×8 1K×8 1K×8 1K×8 4K×8 两片并联 四组串联 分析： 两芯片位扩展，片选信号/CS连在一起， 四组芯片字扩展，片选信号/CS要分开。 主存储器位字扩展 例如：现有芯片Intel2114 1K×4，扩展成 4 K×8 的存储器。 位